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资料编号:627772
 
资料名称:SUD40N06-25L
 
文件大小: 72.11K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
 
 


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sud40n06-25l
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70264
s-57741—rev. g, 31-三月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 250
一个
60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 2.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
=
20 v
100 nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 125
C 50
一个
V
DS
= 175
C 150
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 10 v, i
D
= 20 一个, t
J
= 125
C 0.043
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 20 一个, t
J
= 175
C 0.053
V
GS
=
4.5
v,I
D
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
动态
输入 电容 C
iss
V 0 V V 25 V f 1 MH
1800
F
输出 电容 C
oss
V
GS
反转 转移 电容 C
rss
100
总的 门 承担
c
Q
g
V30VV10VI40A
40 60
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 40 一个
9
nC
门-流 承担
c
Q
gd
10
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
V30VR09
10 20
上升 时间
c
t
r
V
DD
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
20 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
下降 时间
c
t
f
7 15
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
20
一个
二极管 向前 电压 V
SD
I
F
= 20 一个, v
GS
= 0 v 1.0 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 20 一个, di/dt = 100 一个/
s 48 100 ns
注释:
一个. 为 设计 aid 仅有的; 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
c. 独立 的 运行 温度.
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