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资料编号:627789
 
资料名称:SUD50N03-07
 
文件大小: 60.39K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sud50n03-07
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 70767
s-40272—rev.e, 23-二月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
30
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 2.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 50 一个
V
GS
= 10 v, i
D
=20 一个 0.007
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
=20 一个, t
J
= 125
C 0.011
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个 0.010
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 20 一个 20 S
动态
一个
输入 电容 C
iss
5600
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
1100 pF
反转 转移 电容 C
rss
450
总的 门 承担
c
Q
g
70 130
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 50 一个
16
nC
门-流 承担
c
Q
gd
DS
,
GS
,
D
10
门 阻抗 R
g
0.5 3.1
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
14 30
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 0.3
11 20
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 0.3
I
D
50 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 2.5
60 120
ns
下降 时间
c
t
f
15 40
源-流 二极管比率 和 典型的 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
100 一个
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
F
= 100 一个, v
GS
= 0 v 1.2 1.5 V
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 50 一个, di/dt = 100 一个/
s 55 100 ns
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
c. 独立的 运行 温度.
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