SUD50N03-07_集成电路资料查询网

sud50n03-07
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码:  70767
s-40272—rev.e, 23-二月-04
典型 特性 (25

c 除非 指出)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
在-阻抗vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前电压
T
J
−
接合面 温度 (

c) V
SD
−
源-至-流 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
100
1
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
V
GS
= 10 v
I
D
= 45 一个
T
J
= 25

C
T
J
= 150

C
0
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)
热的比率
0
4
8
12
16
20
24
0 25 50 75 100 125 150 175
Safe运行 范围
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
500
10
0.1
0.1 1 10 100
限制
用 r
ds(在)
1
100
T
一个
= 25

C
单独的 脉冲波
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
−
4
10
−
3
10
−
2
10
−
1
110
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
最大 流 电流 vs.
ambiemt temperature
T
一个
−
包围的 temperature (

c)
−
流 电流 (一个)I
D
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
1 ms
10 ms
100 ms
直流
10, 100

s
1 s
500100

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sud50n03-07 vishay siliconix www.vishay.com 4 文档号码: 70767 s-40272—rev.e, 23-二月-04 典型特性 (25  c 除非指出) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 在-阻抗vs. 接合面 temperature 源-流二极管向前电压 T J − 接合面温度 (  c) V SD − 源-至-流电压 (v) − 源电流 (一个)I S 100 1 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 V GS = 10 v I D = 45 一个 T J = 25  C T J = 150  C 0 r ds(在) − 在-resiistance (normalized) 热的比率 0 4 8 12 16 20 24 0 25 50 75 100 125 150 175 Safe运行范围 V DS − 流-至-源电压 (v) − 流电流 (一个)I D 500 10 0.1 0.1 1 10 100 限制用 r ds(在) 1 100 T 一个 = 25  C 单独的脉冲波 normalized 热的瞬时阻抗, 接合面-至-包围的正方形的波脉冲波持续时间 (秒) 2 1 0.1 0.01 10 − 4 10 − 3 10 − 2 10 − 1 110 normalized 有效的瞬时热的阻抗最大流电流 vs. ambiemt temperature T 一个 − 包围的 temperature (  c) − 流电流 (一个)I D 0.2 0.1 0.05 0.02 单独的脉冲波职责循环 = 0.5 1 ms 10 ms 100 ms 直流 10, 100  s 1 s 500100

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