关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:627869
资料名称:
SUP40N10-30
文件大小: 71.78K
说明
:
介绍
:
N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sup40n10-30
vishay siliconix
新 产品
文档
号码: 72135
s-31730—rev.
b, 18-8月-03
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
600
1200
1800
2400
3000
0
20406080100
0
4
8
12
16
20
0
10203040506070
0
20
40
60
80
100
0
1530456075
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
1530456075
0
15
30
45
60
75
0123456
0
15
30
45
60
75
0246810
输出
特性
转移 特性
电容
门 承担
跨导
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
-
流-至-源 电压 (v)
V
GS
-
门-至-源 电压 (v)
-
流 电流 (一个)
I
D
-
门-至-源 电压 (v)
Q
g
-
总的 门 承担 (nc)
I
D
-
流 电流 (一个)
V
DS
-
流-至-源 电压 (v)
C
-
电容 (pf)
V
GS
-
跨导 (s)
g
fs
25
C
-55
C
T
C
= 125
C
V
DS
= 50 v
I
D
= 40 一个
V
GS
= 10 thru 6 v
V
GS
= 10 v
C
iss
C
oss
T
C
=
-
55
C
25
C
125
C
4 v
-
在-阻抗 (
r
ds(在)
)
-
流 电流 (一个)
I
D
I
D
-
流 电流 (一个)
C
rss
5 v
V
GS
= 6 v
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com