sup40n10-30
vishay siliconix
新 产品
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4
文档 号码: 72135
s-31730—rev.b, 18-8月-03
典型 特性 (25
c 除非 指出)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
源-流二极管 向前电压
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c) V
SD
-源-至-流 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 15 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
0
95
100
105
110
115
120
125
130
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
流-源损坏 voltage vs.
接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c)
I
D
= 10 毫安
t
在
(秒)
1000
10
0.00001 0.001 0.1 1
0.1
(一个)i
Dav
0.01
I
AV
(一个) @ t
一个
= 150
C
100
1
0.0001
I
AV
(一个) @ t
一个
= 25
C
Avalanche电流 vs. 时间
流-源损坏 电压 (v)