4-238
telcom 半导体, 公司
3a 双 高-速
电源 场效应晶体管 驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
pdip r
θ
j-c
..................................................... 45
°
c/w
soic r
θ
j-一个
................................................... 155
°
c/w
soic r
θ
j-c
..................................................... 75
°
c/w
运行 温度 范围
c 版本 ............................................... 0
°
c 至 +70
°
C
i 版本 ............................................- 25
°
c 至 +85
°
C
e 版本 ...........................................- 40
°
c 至 +85
°
C
m 版本 ........................................- 55
°
c 至 +125
°
C
包装 电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c)
塑料 插件 ......................................................730mW
CerDIP ............................................................800mW
SOIC ...............................................................470mW
电的 特性:
T
一个
= +25
°
c 和 4.5v
≤
V
DD
≤
18v, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
OH
逻辑 1 高 输入 电压 2.4 — — V
V
IL
逻辑 0 低 输入 电压 — — 0.8 V
I
在
输入 电流 0V
≤
V
在
≤
V
DD
– 1 — 1
µ
一个
输出
V
OH
高 输出 电压 V
DD
– 0.025 — — V
V
OL
低 输出 电压 — — 0.025 V
R
O
输出 阻抗, 高 I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18v — 2.8 5
Ω
R
O
输出 阻抗, 低 I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18v — 3.5 5
Ω
I
PK
顶峰 输出 电流 — 3 — 一个
I
REV
获得-向上 保护 职责 循环
≤
2% 1.5 — — 一个
承受 反转 电流 t
≤
300
µ
秒
切换 时间
(便条 1)
t
R
上升 时间 图示 1, c
L
= 1800 pf — 23 35 nsec
t
F
下降 时间 图示 1, c
L
= 1800 pf — 25 35 nsec
t
D1
延迟 时间 图示 1, c
L
= 1800 pf — 33 75 nsec
t
D2
延迟 时间 图示 1, c
L
= 1800 pf — 38 75 nsec
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 V
在
= 3v (两个都 输入) — 1.5 2.5 毫安
V
在
= 0v (两个都 输入) — 0.15 0.25 毫安
管脚 配置
8-管脚 插件
1
2
3
4
NC
5
6
7
8
输出 一个
输出 b
NC
在 一个
地
在 b
V
DD
NC
输出 一个
NC
在 一个
在 b
V
DD
NC
地
地
NC
输出 一个
V
DD
输出 b
输出 b
NC
NC
输出 一个
DD
输出 一个
DD
输出 b
输出 b
NC
NC
输出 一个
V
DD
输出 一个
V
DD
输出 b
输出 b
NC
4423 4424 4425
NC
输出 一个
输出 b
V
DD
NC
输出 一个
输出 b
V
DD
4423 4424 4425
V
V
16-管脚 所以 宽
1
2
3
4
5
6
7
8
16
13
12
11
10
9
15
14
NC
nc = 非 连接
便条:
复制 管脚 必须
两个都
是 连接 为 恰当的 运作.
TC4423
TC4424
TC4425
TC4423
TC4424
TC4425
绝对 最大 ratings*
供应 电压 ......................................................... +22V
输入 电压, 在 一个 或者 在 b ...... V
DD
+ 0.3v 至 地 – 5.0v
最大 碎片 温度 ................................. +150
°
C
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) ................. +300
°
C
包装 热的 阻抗
cerdip r
θ
j-一个
................................................ 150
°
c/w
cerdip r
θ
j-c
.................................................. 55
°
c/w
pdip r
θ
j-一个
................................................... 125
°
c/w
: 点此下载
