TC4424_集成电路资料查询网

4-241
telcom 半导体, 公司
7
6
5
4
3
1
2
8
3a 双 高-速
电源 场效应晶体管 驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
典型 特性
(内容.)
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
传播 延迟 时间 vs. 供应 电压
50
45
40
35
30
25
20
安静的 电流 vs. 温度
1
0.1
0.01
4 6 8 1012141618
延迟 时间 (nsec)
延迟 时间 vs. 温度
50
45
40
35
30
25
20
T
一个
(
°
c)
延迟 时间 (nsec)
DD
V
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
4 6 8 10 12 14 16 18
T
一个
(
°
c)
I
安静的
(毫安)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
安静的 电流 vs. 供应 电压
DD
V
输出 阻抗 (输出 高)
vs. 供应 电压
14
12
10
8
6
4
2
4 6 8 10 12 14 16 18
DD
V
R
ds(在)
(
Ω
)
输出 阻抗 (输出 低)
vs. 供应 电压
14
12
10
8
6
4
2
4 6 8 10 12 14 16 18
DD
V
c            = 2200 pf
加载
c            = 2200 pf
加载
t
D2
t
D2
t
D2
t
D2
两个都 输入 = 1
输入 = 1
输入 = 0
worst 情况 @ t
J
= +150
°
C
典型值 @ t
一个
= +25
°
C
典型值 @ t
一个
= +25
°
C
worst 情况 @ t
J
= +150
°
C
T
一个
= +25
°
C
两个都 输入 = 0
I
安静的
(毫安)
R
ds(在)
(
Ω
)

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4-241 telcom 半导体, 公司 7 6 5 4 3 1 2 8 3a 双高-速电源场效应晶体管驱动器 TC4423 TC4424 TC4425 典型特性 (内容.) –55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125 传播延迟时间 vs. 供应电压 50 45 40 35 30 25 20 安静的电流 vs. 温度 1 0.1 0.01 4 6 8 1012141618 延迟时间 (nsec) 延迟时间 vs. 温度 50 45 40 35 30 25 20 T 一个 ( ° c) 延迟时间 (nsec) DD V –55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125 4 6 8 10 12 14 16 18 T 一个 ( ° c) I 安静的 (毫安) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 安静的电流 vs. 供应电压 DD V 输出阻抗 (输出高) vs. 供应电压 14 12 10 8 6 4 2 4 6 8 10 12 14 16 18 DD V R ds(在) ( Ω ) 输出阻抗 (输出低) vs. 供应电压 14 12 10 8 6 4 2 4 6 8 10 12 14 16 18 DD V c = 2200 pf 加载 c = 2200 pf 加载 t D2 t D2 t D2 t D2 两个都输入 = 1 输入 = 1 输入 = 0 worst 情况 @ t J = +150 ° C 典型值 @ t 一个 = +25 ° C 典型值 @ t 一个 = +25 ° C worst 情况 @ t J = +150 ° C T 一个 = +25 ° C 两个都输入 = 0 I 安静的 (毫安) R ds(在) ( Ω )

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