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文档 号码 83736
rev. 1.4, 26-jan-05
vishay 半导体
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3
输出
1)
indicates 电子元件工业联合会 注册 值
Coupler
电流 转移 比率
切换 特性
典型 特性 (tamb = 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 损坏
电压
1)
I
C
= 100
µ
一个, i
F
= 0 BV
CEO
30 V
集电级-根基 损坏
电压
1)
I
C
= 100
µ
一个, i
F
= 0 BV
CBO
50 V
发射级-根基 损坏
电压
1)
I
C
= 100
µ
一个, i
F
= 0 BV
EBO
8.0 V
发射级-集电级 损坏
电压
1)
I
C
= 100
µ
一个, i
F
= 0 BV
ECO
5.0 10 V
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 10 v, i
F
= 0 I
CEO
1.0 100 nA
I
C
= 0.5 毫安, v
CE
= 5.0 v h
FE
13
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
colector 发射级 饱和
电压
V
CEsat
1.0 V
连接 电容 1.5 pF
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
电流 转移 比率 V
CE
= 10 v, i
F
= 10 毫安, CTR 500 %
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
转变 在 时间 V
CC
= 10 v, i
c =
50 毫安 t
在
5.0
µ
s
转变 止 时间 I
F
= 200 毫安, r
L
= 180
Ω
t
止
100
µ
s
图示 1. normalized 非-saturated 和 saturated ctr
CE
vs.
led 电流
i4n32-33_02
.1 1 10 100 1000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Vce =1V
Vce=5V
如果 - LED 电流 - 毫安
NCTRce - Normalized CTRce
Vce=5V
IF=10mA
Ta = 25°C
Normalized 至:
图示 2. normalized 非-saturated 和 saturated 集电级-
发射级 电流 vs. led 电流
i4n32-33_03
100
1.1
.001
.01
.1
1
10
Vce=1V
Vce=5V
如果 - LED 电流 - 毫安
NIce - Normalized Ice
Ta = 25°C
如果 = 10 毫安
Vce=5V
Normalized 至:
10
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