4N32-X007_集成电路资料查询网

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4
文档 号码 83736
rev. 1.4, 26-jan-05
4n32/ 4n33
vishay 半导体
图示 3. normalized 集电级-根基 photocurrent vs. led
电流
图示 4. 非-saturated 和 saturated hfe vs. 根基 电流
图示 5. 低 至 高 传播 延迟 vs. 集电级 加载
阻抗 和 led 电流
i4n32-33_04
.1 1 10 100
.001
.01
.1
1
10
如果 - LED 电流 - 毫安
NIcb - Normalized Icb
Ta = 25°C
Vcb = 3.5 V
如果 = 10 毫安
Normalized 至:
i4n32-33_05
.01 .1 1 10 100
0
2000
4000
6000
8000
10000
Vce = 5 V
Vce = 1 V
Ib - 根基 电流 -
µ
一个
HFE - 向前 转移 增益
Ta=25°C
i4n32-33_06
0 5 10 15 20
0
20
40
60
80
Ta = 25°c, Vcc = 5V
Vth = 1.5 V
220
Ω
ıˇ
470
Ω
如果 - LED 电流 - 毫安
tpLH - 低/高 传播
延迟 -
µ
S
100
Ω
1.0 k
Ω
图示 6. 高 至 低 传播 延迟 vs. 集电级 加载
阻抗 和 led 电流
图示 7. 切换 波形 和 切换 图式
i4n32-33_07
0 5 10 15 20
0
5
10
15
20
100
Ω
1k
Ω
如果 - LED 电流 - 毫安
tpHL - 高/低 传播
延迟 -
µ
s
Ta=25°C
Vcc = 5 V
Vth = 1.5 V
i4n32-33_08
I
F
t
R
V
O
t
D
t
S
t
F
t
PHL
t
PLH
V
TH
=1.5 V
V
O
R
L
V
CC
I
F

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www.vishay.com 4 文档号码 83736 rev. 1.4, 26-jan-05 4n32/ 4n33 vishay 半导体图示 3. normalized 集电级-根基 photocurrent vs. led 电流图示 4. 非-saturated 和 saturated hfe vs. 根基电流图示 5. 低至高传播延迟 vs. 集电级加载阻抗和 led 电流 i4n32-33_04 .1 1 10 100 .001 .01 .1 1 10 如果 - LED 电流 - 毫安 NIcb - Normalized Icb Ta = 25°C Vcb = 3.5 V 如果 = 10 毫安 Normalized 至: i4n32-33_05 .01 .1 1 10 100 0 2000 4000 6000 8000 10000 Vce = 5 V Vce = 1 V Ib - 根基电流 - µ 一个 HFE - 向前转移增益 Ta=25°C i4n32-33_06 0 5 10 15 20 0 20 40 60 80 Ta = 25°c, Vcc = 5V Vth = 1.5 V 220 Ω ıˇ 470 Ω 如果 - LED 电流 - 毫安 tpLH - 低/高传播延迟 - µ S 100 Ω 1.0 k Ω 图示 6. 高至低传播延迟 vs. 集电级加载阻抗和 led 电流图示 7. 切换波形和切换图式 i4n32-33_07 0 5 10 15 20 0 5 10 15 20 100 Ω 1k Ω 如果 - LED 电流 - 毫安 tpHL - 高/低传播延迟 - µ s Ta=25°C Vcc = 5 V Vth = 1.5 V i4n32-33_08 I F t R V O t D t S t F t PHL t PLH V TH =1.5 V V O R L V CC I F

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