E
smart 3 先进的 激励 块
5
初步的
1.0 介绍
这个 数据手册 包含 这 规格 为 这
先进的 激励 块 flash 记忆 家族, 这个 是
优化 为 低 电源, 可携带的 系统. 这个
家族 的 产品 特性 1.65 v
–2.5 v 或者 2.7 v–
3.6 v i/os 和 一个 低 v
CC
/v
PP
运行 范围 的
2.7 v–3.6 v 为 读, 程序, 和 擦掉
行动. 在 增加 这个 家族 是 有能力 的 快
程序编制 在 12 v. 全部地 这个 文档,
这 期 “2.7 v” 谈及 至 这 全部 电压 范围
2.7 v–3.6 v (除了 在哪里 指出 否则) 和
“V
PP
= 12 v” 谈及 至 12 v ±5%. 部分 1.0 和
2.0 提供 一个 overview 的 这 flash 记忆 家族
包含 产品, pinouts 和 管脚 描述.
部分 3.0 describes 这 记忆 organization 和
运作 为 这些 产品. sections 4.0 和 5.0
包含 这 运行 规格. 最终,
sections 6.0 和 7.0 提供 订货 和 其它
涉及 信息.
1.1 smart 3 先进的 激励 块
flash 记忆 增强
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
特性
•
增强 blocking 为 容易 segmentation 的
代号 和 数据 或者 额外的 设计 flexibility
•
程序 suspend 至 读 command
•
V
CCQ
输入 的 1.65 v–2.5 v 在 所有 i/os. 看
计算数量 1 通过 4 为 引脚 图解 和
V
CCQ
location
•
最大 程序 和 擦掉 时间 规格
为 改进 数据 存储.
表格 1. smart 3 先进的 激励 块 特性 summary
特性 28f008b3, 28f016b3,
28F032B3
(1)
28F400B3
(2),
28f800b3,
28f160b3, 28f320b3
涉及
V
CC
读 电压 2.7 v– 3.6 v 部分 4.2, 4.4
V
CCQ
i/o 电压 1.65 v–2.5 v 或者 2.7 v– 3.6 v 部分 4.2, 4.4
V
PP
程序/擦掉 电压 2.7 v– 3.6 v 或者 11.4 v– 12.6 v 部分 4.2, 4.4
总线 宽度 8-位 16 位 表格 3
速 80 ns, 90 ns, 100 ns, 110 ns 部分 4.5
记忆 arrangement 1024 kbit x 8 (8 mbit),
2048 kbit x 8 (16 mbit),
4096 kbit x 8 (32 mbit)
256 kbit x 16 (4 mbit),
512 kbit x 16 (8 mbit),
1024 kbit x 16 (16 mbit)
2048 kbit x 16 (32 mbit)
部分 2.2
blocking (顶 或者 bottom) 第八 8-kbyte 参数 blocks
和
七 64-kbyte blocks (4-mbit) 或者
fifteen 64-kbyte blocks (8-mbit) 或者
thirty-一个 64-kbyte 主要的 blocks (16-mbit)
sixty-三 64-kbyte 主要的 blocks (32-mbit)
部分 2.2
附录 d
Locking wp# locks/unlocks 参数 blocks
所有 其它 blocks 保护 使用 v
PP
部分 3.3
表格 8
运行 温度 扩展: –40
°
c 至 +85
°
C 部分 4.2, 4.4
程序/擦掉 cycling 100,000 循环 部分 4.2, 4.4
包装 40-含铅的 tsop
(1)
, 48-球
µ
bga* csp
(2)
48-含铅的 tsop, 48-球
µ
bga csp
(2)
图示 3, 图示 4
注释:
1. 4-mbit 和 32-mbit 密度 不 有 在 40-含铅的 tsop.
2. 4-mbit 密度 不 有 在
µ
bga* csp.
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