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资料编号:644761
 
资料名称:TE28F800B3BA110
 
文件大小: 304.24K
   
说明
 
介绍:
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
smart 3 先进的 激励 块
7
初步的
一个
17
一个
20
一个
19
一个
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DQ
7
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6
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5
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V
CCQ
V
CC
NC
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OE#
CE#
一个
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一个
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一个
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一个
9
一个
8
WE#
RP#
V
PP
WP#
一个
18
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
16 m
8 m
先进的 激励 块
40-含铅的 tsop
10 mm x 20 mm
顶 视图
1
2
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29
28
27
26
25
24
23
22
21
0580_01
注释:
1. 40-含铅的 tsop 有 为 8- 和 16-mbit densities 仅有的.
2. 更小的 densities 将 有 nc 在 这 upper 地址 管脚. 为 例子, 一个 8-mbit 设备 将 有 nc 在 管脚 38.
图示 1. 40-含铅的 tsop 包装 为 x8 配置
先进的 激励 块
48-含铅的 tsop
12 mm x 20 mm
顶 视图
1
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CC
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32
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一个
15
一个
14
一个
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10
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NC
一个
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WE#
RP#
V
PP
WP#
一个
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一个
18
一个
17
一个
7
一个
6
一个
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OE#
CE#
一个
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一个
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一个
3
一个
2
一个
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32 m
4 m
16 m
8 m
0580_02
便条:
更小的 densities 将 有 nc 在 这 upper 地址 管脚. 为 例子, 一个 8-mbit 设备 将 有 nc 在 管脚 9 和 15.
图示 2. 48-含铅的 tsop 包装 为 x16 配置
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