TI380C30A
整体的 token-环绕 commprocessor
和 物理的-layer 接口
spws034 – march 1998
9
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
终端 功能 (持续)
终端
i/o/e
†
描述
名字 非.
i/o/e
†
描述
MCAS 18 O
column-地址 strobe 为 drams. 这 column 地址 是 有效的 为 3/16ths 的 这 记忆 循环
下列的 这 行-地址 portion 的 这 循环. mcas
是 驱动 低 每 记忆 循环 当 这 column
地址 是 有效的 在 madl0–madl7, maxph, 和 maxpl, 除了 当 一个 的 这 下列的 情况
occurs:
– 当 这 地址 accessed 是 在 这 bia 只读存储器 (>00.0000–>00.000f)
– 当 这 地址 accessed 是 在 这 非易失存储器 记忆 编排 (那 是, 当 这 激励 位 在 这 sifacl
寄存器 是 0 和 一个 进入 是 制造 在 >00.0010 和 >00.ffff 或者 >1f.0000 和 >1f.ffff)
– 当 这 循环 是 一个 refresh 循环, 在 这个 情况 mcas
是 驱动 低 在 这 开始 的 这 循环 在之前 mras
[for drams 那 有 cas-在之前-rasrefresh]. 为 drams 那 做 不 支持 cas-在之前-ras
refresh, 它 将 是 需要 至 使不能运转 mcas和 mref 在 这 refresh 循环.
MDDIR 15 i/o
数据 方向. mddir 是 使用 作 一个 方向 控制 为 双向的 总线 驱动器. mddir 变为 有效的
在之前 mben
变为 起作用的.
h = ti380c30a 记忆-总线 写
l = ti380c30a 记忆-总线 读
MOE 23 O
记忆-输出 使能. moe 使能 这 输出 的 这 dram 记忆 在 一个 读 循环. moe是 高
为 非易失存储器 或者 bia 只读存储器 读 循环.
h = 使不能运转 dram 输出
l = 使能 dram 输出
MRAS 20 O
行-地址 strobe 为 drams. 这 行 地址 lasts 为 这 第一 5/16ths 的 这 记忆 循环. mras
是 驱动 低 每 记忆 循环 当 这 行 地址 是 有效的 在 madl0–madl7, maxph, 和 maxpl
为 两个都 内存 和 只读存储器 循环. mras
是 也 驱动 低 在 refresh 循环 当 这 refresh 地址
是 有效的 在 madl0–madl7.
MREF 1 O
dram refresh 循环 在 progress. mref indicates 那 一个 dram refresh 循环 是 occurring. 它 是 也 使用
为 disabling mcas
至 所有 drams 那 做 不 使用 一个 cas-在之前-rasrefresh.
h = dram refresh 循环 在 处理
l = 不 一个 dram refresh 循环
MRESET 175 O
记忆-总线 重置. mreset是 一个 重置 信号 发生 当 也 这 areset 位 在 这 sifacl
寄存器 是 设置 或者 sreset
是 asserted. mreset是 使用 为 resetting 外部 local-总线 glue 逻辑.
h = 外部 逻辑 不 重置
l = 外部 逻辑 重置
MROMEN 4 O
只读存储器 使能. 在 这 第一 5/16ths 的 这 记忆 循环, mromen是 使用 至 提供 一个 碎片 选择 为
roms 当 这 激励 位 的 这 sifacl 是 0 (那 是, 当 代号 是 resident 在 只读存储器, 和 不 内存).
MROMEN
能 是 latched 用 mal. mromen变得 低 为 任何 读 从 地址 >00.0010–>00.ffff
或者 >1f.0000–>1f.ffff 当 这 激励 位 在 这 sifacl 寄存器 是 0. mromen
stays 高 为 写
至 这些 地址, accesses 的 其它 地址, 或者 accesses 的 任何 地址 当 这 激励 位 是 1.
在 这 最终 三-fourths 的 这 记忆 循环, mromen
输出 这 a13 地址 信号 为
接合 至 一个 bia 只读存储器. 这个 意思 mbiaen
, max0, mromen, 和 max2 表格 一个 glueless 接口
为 这 bia 只读存储器.
h = 只读存储器 无能
l = 只读存储器 使能
MW 19 O
local-记忆 写. mw是 使用 至 具体说明 一个 写 循环 在 这 local-记忆 总线. 这 数据 在 这 madh
和 madl buses 是 有效的 当 mw
是 低. drams 获得 数据 在 这 下落 边缘 的 mw, 当 srams
获得 数据 在 这 rising 边缘 的 mw
.
h = 不 一个 local-记忆 写 循环
l = local-记忆 写 循环
NABL 156 I 输出-使能 控制. nabl 是 使用 在 这 物理的-layer 电路系统 (看 便条 1).
NC
135
166
这些 nc 管脚 必须 是 left unconnected.
NMI 55 I nonmaskable 中断 要求. nmi必须 是 left unconnected.
†
i = 输入, o = 输出, e = 提供 外部-组件 连接 至 这 内部的 电路系统 为 tuning
便条 1. 终端 有 一个 内部的 pullup 设备 至 维持 一个 高-电压 水平的 当 left unconnected (非 etch).
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