october 2000 - 修订 二月 2005
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
客户 应当 核实 真实的 设备 效能 在 它们的 明确的 产品.
tisp61089b 高 电压 ringing slic protector
推荐 运行 情况
电的 特性, t
J
= 25
°
c (除非 否则 指出)
组件 最小值 典型值 最大值 单位
C
G
tisp61089b 门 解耦 电容 100 220 nF
R
S
tisp61089b 序列 电阻 为 gr-1089-核心 第一-水平的 surge survival 25
Ω
tisp61089b 序列 电阻 为 gr-1089-核心 第一-水平的 和 第二-水平的 surge survival 40
Ω
tisp61089b 序列 电阻 为 gr-1089-核心 intra-building 端口 surge survival 8
Ω
tisp61089b 序列 电阻 为 k.20, k.21 和 k.45 coordination 和 一个 400 v primary
protector
10
Ω
参数 Test 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
D
止-状态 电流 V
D
=V
DRM
, v
GK
=0
T
J
= 25
°
c-5
µ
一个
T
J
= 85
°
c-50
µ
一个
V
(bo)
Breakovervoltage2/10
µ
s, i
TM
=-100 一个, di/dt = -80 一个/
µ
s, r
S
=50
Ω
,
V
GG
=-100 v -112 V
V
gk(bo)
门-cathode impulse
breakover电压
2/10
µ
s, i
TM
=-100 一个, di/dt = -80 一个/
µ
s, r
S
=50
Ω
,
V
GG
= -100 v,
(看 便条 4)
12 V
V
F
Forward 电压 I
F
=5a, t
w
= 200
µ
s3V
V
FRM
Peak 向前 恢复
voltage
2/10
µ
s, i
F
= 100 一个, di/dt = 80 一个/
µ
s, r
S
=50
Ω
,
(看 便条 4) 10 V
I
H
支撑ing 电流 I
T
=-1a, di/dt = 1a/ms, v
GG
=-100 V -150 毫安
I
GKS
Gate 反转 电流 V
GG
=V
GK
=V
GKRM
, v
KA
=0
T
J
= 25
°
c-5
µ
一个
T
J
= 85
°
c-50
µ
一个
I
GT
门触发 电流 I
T
=-3a, t
p(g)
≥
20
µ
s, v
GG
=-100 V 5 毫安
V
GT
Gate-cathode 触发
voltage
I
T
=-3a, t
p(g)
≥
20
µ
s, v
GG
=-100 V 2.5 V
C
KA
Cathode-anode 止-
state 电容
f=1mhz, v
d
=1v, i
G
=0, (see 便条 5)
V
D
=-3v 100 pF
V
D
=-48v 50 pF
注释: 4. 这 二极管 向前 恢复 和 这 thyristor 门 impulse breakover (越过) 是 不 strongly 依赖 的 这 门供应
voltage 值 (v
GG
).
5. 这些 电容 度量 雇用 一个 三 终端 电容 桥 包含 一个 守卫 电路. 这 unmeasured
设备 terminals 是 一个.c. 连接 至 这 守卫 终端 的 这 桥.
热的 特性
参数 Test 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
Junction 至 自由 空气 热的 阻抗
T
一个
= 25
°
c, eia/jesd51-3 pcb, eia/
JEsd51-2 环境, p
TOT
= 1.7 w
120
°
c/w
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