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资料编号:653988
 
资料名称:TM55DZ-H
 
文件大小: 63.21K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.1999
绝对 最大 比率
单位
V
V
V
V
V
V
mitsubishi thyristor modules
tm55dz/cz-m,-h
中等 电源 一般 使用
insulated 类型
M
400
480
320
400
480
320
H
800
960
640
800
960
640
标识
V
RRM
V
RSM
V
V
DRM
V
DSM
V
d (直流)
参数
repetitive 顶峰 反转 电压
非-repetitive 顶峰 反转 电压
直流 反转 电压
repetitive 顶峰 止-状态 电压
非-repetitive 顶峰 止-状态 电压
直流 止-状态 电压
单位
一个
一个
一个
一个
2
s
一个/
µ
s
W
W
V
V
一个
°
C
°
C
V
N·m
kg·cm
N·m
kg·cm
g
情况
单独的-阶段, half-波 180
°
传导, t
C
=86
°
C
一个 half 循环 在 60hz, 顶峰 值
值 为 一个 循环 的 surge 电流
V
D
=1/2v
DRM
, i
G
=1.0a, t
j
=125
°
C
charged 部分 至 情况
主要的 终端 screw m5
挂载 screw m6
典型 值
比率
86
55
1100
5.0
×
10
3
100
5.0
0.5
10
5.0
2.0
–40~+125
–40~+125
2500
1.47~1.96
15~20
1.96~2.94
20~30
160
标识
I
t (rms)
I
t (av)
I
TSM
I
2
t
di/dt
P
GM
P
g (av)
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
stg
V
iso
参数
rms 在-状态 电流
平均 在-状态 电流
surge (非-repetitive) 在-状态 电流
I
2
t
为 fusing
核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流
顶峰 门 电源 消耗
平均 门 电源 消耗
顶峰 门 向前 电压
顶峰 门 反转 电压
顶峰 门 向前 电流
接合面 温度
存储 温度
分开 电压
挂载 torque
重量
电压 类
电的 特性
单位
毫安
毫安
V
v/
µ
s
V
V
毫安
°
c/w
°
c/w
M
限制
标识
I
RRM
I
DRM
V
TM
dv/dt
V
GT
V
GD
I
GT
R
th (j-c)
R
th (c-f)
参数
repetitive 顶峰 反转 电流
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
门 触发 电压
门 非-触发 电压
门 触发 电流
热的 阻抗
联系 热的 阻抗
绝缘 阻抗
测试 情况
T
j
=125
°
c, v
RRM
应用
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用
T
j
=125
°
c, i
TM
=165a, instantaneous meas.
T
j
=125
°
c, v
D
=2/3v
DRM
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=2
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=2
接合面 至 情况 (每 1/2 单元)
情况 至 fin, 传导性的 grease 应用 (每 1/2 单元)
量过的 和 一个 500v megohmmeter 在 主要的 终端
和 情况
最小值
500
0.25
15
10
典型值
最大值
10
10
1.35
3.0
100
0.5
0.2
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