二月.1999
–1
10
–2
10
–3
10
0
10
1
10
0
10
1
10
0
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
3
10
2
10
1
10
0
10
705030207532
200
400
1200
600
800
1000
101 100
753275327532
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
4
7
5
4
V
GT
=3.0v
I
GT
=
100mA
I
FGM
=2.0a
P
GM
=5.0w
V
FGM
=10V
V
GD
=0.25v
P
g(av)
=
0.50w
T
j
=25°C
0.4
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.8 1.2 2.0 2.41.6
T
j
=125°C
753275327532
0.8
0
7532
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0803010 50 70
80
10
20
30
40
50
60
70
20 40 60
θ
=30°
120°
90°
180°
θ
360°
60°
130
50
0608010 20 50
60
70
80
90
100
110
120
30 40 70
θ
=30° 60° 90°
θ
360°
120° 180°
resistive,
INDUCTIVE
加载
每 单独的
元素
resistive,
INDUCTIVE
加载
每 单独的
元素
效能 曲线
最大 在-状态 典型的
门 特性 最大 瞬时 热的
阻抗 (接合面 至 情况)
最大 平均 在-状态
电源 消耗
(单独的 阶段 halfwave)
限制的 值 的 这 平均
在-状态 电流
(单独的 阶段 halfwave)
评估 surge (非-repetitive)
在-状态 电流
在-状态 电流 (一个)
surge (非-repetitive)
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v) 传导 时间
(循环 在 60hz)
门 电压 (v)
平均 在-状态 电源
消耗 (w)
瞬时 热的 阻抗
(
°
c/w)
情况 温度 (
°
c)
时间 (s)门 电流 (毫安)
平均 在-状态 电流 (一个) 平均 在-状态 电流 (一个)
mitsubishi thyristor modules
tm55dz/cz-m,-h
中等 电源 一般 使用
insulated 类型
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