首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:655207
 
资料名称:TMS27C256
 
文件大小: 182.8K
   
说明
 
介绍:
TMS27C256 32768 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC256 32768 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES
 
 


: 点此下载
  浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号TMS27C256的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tms27c256 32768 用 8-位 uv 可擦掉的
tms27pc256 32768 用 8-位
可编程序的 读-仅有的 memories
smls256h– 九月 1984 – 修订 十一月 1997
3
邮递 办公室 盒 1443
houston, 德州 77251–1443
运作
这 七 模式 的 运作 是 列表 在 表格 2. 这 读 模式 需要 一个 单独的 5-v 供应. 所有 输入 是
ttl 水平的 除了 为 v
PP
在 程序编制 (13 v 为 snap! 脉冲波), 和 12 v 在 a9 为 这 signature 模式.
表格 2. 运作 模式
模式
函数
输出
使不能运转
备用物品 程序编制 核实
程序
INHIBIT
SIGNATURE
模式
E V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G V
IL
V
IH
X V
IH
V
IL
X V
IL
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
A9 X X X X X X V
H
V
H
A0 X X X X X X V
IL
V
IH
代号
DQ0 DQ7 数据 输出 hi-z hi-z 数据 在 数据 输出 hi-z
MFG 设备
97 04
x 能 是 v
IL
或者 v
IH
.
V
H
= 12 v
±
0.5 v.
/输出 使不能运转
当 这 输出 的 二 或者 更多 tms27c256s 或者 tms27pc256s 是 连接 在 并行的 在 这 一样 总线,
这 输出 的 任何 particular 设备 在 这 电路 能 是 读 和 非 干扰 从 这 competing 输出
的 这 其它 设备. 至 读 这 输出 的 一个 单独的 设备, 一个 低-水平的 信号 是 应用 至 这 e
和 g管脚. 所有
其它 设备 在 这 电路 应当 有 它们的 输出 无能 用 应用 一个 高-水平的 信号 至 一个 的 这些
管脚. 输出 数据 是 accessed 在 管脚 dq0 通过 dq7.
latchup 免除
latchup 免除 在 这 tms27c256 和 tms27pc256 是 一个 最小 的 250 毫安 在 所有 输入 和 输出.
这个 特性 提供 latchup 免除 在之外 任何 潜在的 过往旅客 在 这 p.c. 板 水平的 当 这 设备
是 连接 至 工业-标准 ttl 或者 mos 逻辑 设备. 输入-输出 布局 approach 控制 latchup
没有 compromising 效能 或者 包装 密度.
电源 向下
起作用的 i
CC
供应 电流 能 是 减少 从 30 毫安 至 500
µ
一个 (ttl-水平的 输入) 或者 250
µ
一个 (cmos-水平的
输入) 用 应用 一个 高 ttl 或者 cmos 信号 至 这 e
管脚. 在 这个 模式 所有 输出 是 在 这 高-阻抗
状态.
erasure (TMS27C256)
在之前 程序编制, 这 tms27c256 非易失存储器 是 erased 用 exposing 这 碎片 通过 这 transparent lid
至 一个 高 强烈 ultraviolet 明亮的 (wavelength 2537 Å). 非易失存储器 erasure 在之前 程序编制 是 需要 至
使确信 那 所有 位 是 在 这 逻辑 高 状态. 逻辑 lows 是 编写程序 在 这 desired locations. 一个
编写程序 逻辑 低 能 是 erased 仅有的 用 ultraviolet 明亮的. 这 推荐 最小 暴露 剂量 (uv
强烈
×
暴露 时间) 是 15-w
s/cm
2
. 一个 典型 12-mw/cm
2
, filterless uv lamp erases 这 设备 在 21
分钟. 这 lamp 应当 是 located 关于 2.5 cm 在之上 这 碎片 在 erasure. 它 应当 是 指出 那 正常的
包围的 明亮的 包含 这 准确无误的 wavelength 为 erasure. 因此, 当 使用 这 tms27c256, 这 window
应当 是 covered 和 一个 opaque label.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com