tms27c256 32768 用 8-位 uv 可擦掉的
tms27pc256 32768 用 8-位
可编程序的 读-仅有的 memories
smls256h– 九月 1984 – 修订 十一月 1997
7
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
推荐 运行 情况
最小值 NOM 最大值 单位
V
CC
供应 电压
读 模式 (看 便条 2) 4.5 5 5.5
VV
CC
Supply 电压
snap! 脉冲波 程序编制 algorithm 6.25 6.5 6.75
V
V
PP
供应 电压
读 模式 V
CC
– 0.6 V
CC
+0.6
VV
PP
Supply 电压
snap! 脉冲波 程序编制 algorithm 12.75 13 13.25
V
V
IH
高 水平的 直流 输入 电压
TTL 2 V
CC
+1
VV
IH
高-水平的 直流 输入voltage
CMOS V
CC
– 0.2 V
CC
+1
V
V
IL
低 水平的 直流 输入 电压
TTL – 0.5 0.8
VV
IL
低-水平的 直流 输入voltage
CMOS – 0.5 0.2
V
T
一个
运行 自由-空气 温度
’27c256-_ _jl
’27pc256-_ _fml
0 70
°
C
T
一个
运行 自由-空气 温度
’27c256-_ _je
’27pc256-_ _fme
–40 85
°
C
便条 2: V
CC
必须 是 应用 在之前 或者 在 这 一样 时间 作 v
PP
和 移除 之后 或者 在 这 一样 时间 作 v
PP
. 这 设备 必须 不 是 inserted
在 或者 移除 从 这 板 当 v
PP
或者 v
CC
是 应用.
电的 特性 在 推荐 范围 的 运行 情况
参数 测试 情况 最小值 典型值
†
最大值 单位
V
OH
高 水平的 直流 输出 电压
I
OH
= – 2.5 毫安 3.5
VV
OH
高-水平的 直流 输出voltage
I
OH
= – 20
µ
一个 V
CC
– 0.1
V
V
OL
低 水平的 直流 输出 电压
I
OL
= 2.1 毫安 0.4
VV
OL
低-水平的 直流 输出voltage
I
OL
= 20
µ
一个 0.1
V
I
I
输入 电流 (泄漏) V
I
= 0 v 至 5.5 v
±
1
µ
一个
I
O
输出 电流 (泄漏) V
O
= 0 v 至 v
CC
±
1
µ
一个
I
PP1
V
PP
供应 电流 V
PP
= v
CC
= 5.5 v 1 10
µ
一个
I
PP2
V
PP
供应 电流 (在 程序 脉冲波) V
PP
= 13 v 35 50 毫安
I
CC1
V
CC
供应 电流
ttl-输入 水平的 V
CC
= 5.5 v, E= v
IH
250 500
µ
一个
I
CC1
CC
y
(备用物品)
cmos-输入 水平的
V
CC
= 5.5 v, E= v
CC
100 250
µ
一个
I
CC2
V
CC
供应 电流 (起作用的)
V
CC
= 5.5 v, E= v
IL
,
t
循环
= 最小 循环 时间,
输出 打开
15 30 毫安
电容 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气 温度,
f = 1 mhz
†
参数 测试 情况 最小值 典型值
‡
最大值 单位
C
i
输入 电容 V
I
= 0, f = 1 mhz 6 10 pF
C
o
输出 电容 V
O
= 0, f = 1 mhz 10 14 pF
†
电容 度量 是 制造 在 一个 样本 基准 仅有的.
‡
典型 值 是 在 t
一个
= 25
°
c 和 名义上的 电压.
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