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资料编号:655729
 
资料名称:TN2510N8
 
文件大小: 478.02K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
10V
V
DD
R
gen
0V
0V
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动) 电源 消耗
θ
jc
θ
ja
I
DR
*I
DRM
@ t
一个
= 25
°
C
°
c/w
°
c/w
至-243aa 0.73a 5.0a 1.6w
15 78
0.73a 5.0a
*
I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
挂载 在 fr5 板, 25mm x 25mm x 1.57mm. 重大的 p
D
增加 可能 在 陶瓷的 基质.
热的 特性
切换 波形 和 测试 电路
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
DSS
100 V V
GS
= 0v, i
D
= 2ma
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6 2.0 V V
GS
= v
DS
, i
D
= 1ma
V
gs(th)
改变 在 v
gs(th)
和 温度 -4.5 mv/
°
CV
GS
= v
DS
, i
D
= 1.0ma
I
GSS
门 身体 泄漏 100 nA V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
I
DSS
零 门 电压 流 电流 10
µ
AV
GS
= 0v, v
DS
= 最大值 比率
1.0 毫安 V
GS
= 0v, v
DS
= 0.8 最大值 比率
T
一个
= 125
°
C
I
d(在)
在-状态 流 电流 1.2 2.0 V
GS
= 5.0v, v
DS
= 25v
3.0 6.0 V
GS
= 10v, v
DS
= 25v
R
ds(在)
15 V
GS
= 3.0v, i
D
= 250ma
1.5 2.0
V
GS
= 4.5v, i
D
= 750ma
1.0 1.5 V
GS
= 10v, i
D
= 750ma
R
ds(在)
改变 在 r
ds(在)
和 温度 0.75 %/
°
CV
GS
= 10v, i
D
= 750ma
G
FS
向前 跨导 0.4 0.8 V
DS
= 25v, i
D
= 1.0a
C
ISS
C
OSS
一般 源 输出 电容 30 70 pF
C
RSS
反转 转移 电容 15 25
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 10
t
r
上升 时间 10
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 20
t
f
下降 时间 10
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 1.8 V V
GS
= 0v, i
SD
= 1.5a
t
rr
反转 恢复 时间 300 ns V
GS
= 0v, i
SD
= 1.5a
注释:
1. 所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
2. 所有 一个.c. 参数 样本 测试.
一个
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
流-至-源
损坏 电压
静态的 流-至-源
在-状态 阻抗
V
DD
= 25v,
ns I
D
= 1.5a,
R
GEN
= 25
V
GS
= 0v, v
DS
= 25v
f = 1 mhz
TN2510
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