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资料编号:655729
 
资料名称:TN2510N8
 
文件大小: 478.02K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
输出 特性
10
8
6
4
2
0
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
饱和 特性
10
8
6
4
2
0
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
最大 评估 Safe 运行 范围
1 100010010
0.1
1.0
10
0.01
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
热的 回馈 特性
热的 阻抗 (normalized)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001 100.01 0.1 1
t
p
(秒)
跨导 vs. 电流
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
051
G
FS
(siemens)
I
D
(amperes)
电源 消耗 vs. 包围的 温度
0 15010050
2.0
1257525
T
C
c)
°
(
D
P (watts)
V
DS
= 25V
0102030 5040
V
GS
= 10V
4V
3V
0246 108
V
GS
= 10V
6V
至-243aa (搏动)
6V
8V
4V
8V
T
一个
=25
°
C
234
至-243aa (直流)
1.0
0
3V
至-243aa
T
一个
= 125
°
C
T
一个
= -55
°
C
至-243aa
P
D
= 0.55w
T
C
=25
°
C
T
一个
=25
°
C
Typical 效能 曲线
TN2510
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