关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:655729
资料名称:
TN2510N8
文件大小: 478.02K
说明
:
介绍
:
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
输出
特性
10
8
6
4
2
0
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
饱和
特性
10
8
6
4
2
0
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
最大
评估
Safe
运行
范围
1
100010010
0.1
1.0
10
0.01
V
DS
(伏特)
I
(amperes)
D
热的
回馈
特性
热的
阻抗
(normalized)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
100.01
0.1
1
t
p
(秒)
跨导
vs.
流
电流
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
05
1
G
FS
(siemens)
I
D
(amperes)
电源
消耗
vs.
包围的
温度
0
15010050
2.0
1257525
T
C
c)
°
(
D
P
(watts)
V
DS
=
25V
0102030
50
40
V
GS
=
10V
4V
3V
02
46
10
8
V
GS
=
10V
6V
至-243aa
(搏动)
6V
8V
4V
8V
T
一个
=25
°
C
234
至-243aa
(直流)
1.0
0
3V
至-243aa
T
一个
=
125
°
C
T
一个
=
-55
°
C
至-243aa
P
D
=
0.55w
T
C
=25
°
C
T
一个
=25
°
C
T
ypical 效能 曲线
TN2510
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com