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资料编号:657193
资料名称:
TPC8108
文件大小: 342.57K
说明
:
介绍
:
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8108
2002-03-12
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压
V
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压
V
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
−
2
−
3
−
4
−
5
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
2.2
V
GS
=
−
2 v
0
−
20
−
30
−
40
−
50
−
10
0
−
1
−
3
−
4
−
6
−
8
−
10
−
2.4
−
2.6
−
2.8
0.3
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
1
3
10
30
100
一般 源
V
DS
=
−
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
−
55°C
100
25
0.3
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
1
3
10
30
100
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
10
V
GS
=
−
4 v
0
−
0.2
0
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
−
2 v
−
2.4
−
3
−
4
−
10
−
8
−
6
−
2.2
−
2.6
−
2.8
−
2
−
3
−
4
−
5
一般 源
V
DS
=
−
10 v
脉冲波 测试
0
−
20
−
30
−
40
−
50
−
10
0
−
1
100
Ta
=
−
55°C
25
−
8
−
12
−
16
−
20
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
−
0.2
−
0.3
−
0.4
−
0.5
−
0.1
0
−
4
I
D
=
−
11 一个
−
2.5
−
5.5
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