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资料编号:657193
 
资料名称:TPC8108
 
文件大小: 342.57K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8108
2002-03-12
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 V
GS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 V
GS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
流 电流 I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
2
3
4
5
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
2.2
V
GS
=
2 v
0
20
30
40
50
10
0
1
3
4
6
8
10
2.4
2.6
2.8
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
55°C
100
25
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
10
V
GS
=
4 v
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
4
8
12
16
20
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
2 v
2.4
3
4
10
8
6
2.2
2.6
2.8
2
3
4
5
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
0
20
30
40
50
10
0
1
100
Ta
=
55°C
25
8
12
16
20
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1
0
4
I
D
=
11 一个
2.5
5.5
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