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资料编号:657193
资料名称:
TPC8108
文件大小: 342.57K
说明
:
介绍
:
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8108
2002-03-12
5
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
动态 输入/输出 特性
流 电源 消耗
P
D
(w)
门 门槛 电压
V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 电压 v
DS
(v)
门-源 电压
V
GS
(v)
总的 门 承担
Q
g
(nc)
流 反转 电流
I
DR
(一个)
30
0
−
80
−
40 0
40
120
160 80
10
20
40
50
V
GS
=
−
4 v
一般 源
脉冲波 测试
−
10
I
D
=
−
11 一个,
−
5.5 一个,
−
2.5 一个
I
D
=
−
11 一个,
−
5.5 一个,
−
2.5 一个
30
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
100
300
1000
3000
10000
C
rss
C
oss
C
iss
一般 源
V
GS
=
0 v
f
=
1 mhz
Ta
=
25°C
−
1.2
0
−
80
−
40 0
40
120
160 80
−
0.4
−
0.8
−
1.6
−
2.0
一般 源
V
DS
=
−
10 v
I
D
=
−
1 毫安
脉冲波 测试
80 120 160 200
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
0 40
(1)
设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(2)
设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
t
=
10 s
(1)
(2)
0
−
10
−
20
−
30
0 20 40 60 80
一般 源
I
D
=
−
11 一个
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
DD
=
−
24 v
V
DS
V
GS
−
6
−
12
−
30
−
20
0
−
10
100
V
DD
=
−
24 v
−
12
−
6
0
−
0.1
−
1
−
10
−
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
−
10
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
5
−
3
−
1
V
GS
=
0 v
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