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资料编号:657202
 
资料名称:TPC8203
 
文件大小: 419.19K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8203
2002-05-17
3
电的 特性
(ta = 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0 v
— — ±10 µa
流 截
止 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v
— — 10 µa
V
(br) dss
I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0 v
30 — — V
源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
= 10 毫安, v
GS
=
20 v
15 — —
门 门槛 电压 V
th
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安
0.8 — 2.5 V
R
ds (在)
V
GS
= 4 v, i
D
= 3 一个
— 22 32
源 在 阻抗
R
ds (在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 3 一个
— 14 21
m
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
= 10 v, i
D
= 3 一个
4 8 — s
输入 电容 C
iss
— 1700 —
反转 转移 电容 C
rss
— 260 —
输出 电容 C
oss
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
— 380 —
pF
上升 时间 t
r
— 10 —
转变
在 时间 t
— 20 —
下降 时间 t
f
— 35 —
切换 时间
转变
止 时间 t
— 120 —
ns
总的 门 承担 (门
加 门
流)
Q
g
— 40 —
源 承担 Q
gs
— 28 —
流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
24 v, v
GS
= 10 v, i
D
= 6 一个
— 12 —
nC
流 比率 和 特性
(ta =
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转
电流
脉冲波 (便条 1) I
DRP
— — — 24 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
= 6 一个, v
GS
= 0 v
— —
1.2 v
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