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资料编号:657202
资料名称:
TPC8203
文件大小: 419.19K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)
: 点此下载
1
2
3
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5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8203
2002-05-17
5
流 电源 消耗
P
D
(w
)
包围的 温度 ta (
°
c)
P
D
– ta
(1)
(2)
0
0 50 100 150 200
0.5
1.0
1.5
2.0
(4)
(3)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的
板 (一个) (便条 2a)
(1)
单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2)
单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的
板 (b) (便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作
(便条 3a)
(4)
单独的-设备 值 在
双 运作 (便条 3b)
t
=
10 s
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