TPCS8204
2002-02-14
5
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
动态 输入/输出 特性
流 电源 消耗 P
D
(w)
门 门槛 电压 V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 电压 v
DS
(v)
门-源 电压 V
GS
(v)
总的 门 承担 Q
g
(nc)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
一般 源
Ta
=
25°C
V
GS
=
0 v
f
=
1 mhz
0.1
100
1000
10000
1 10
C
iss
C
oss
C
rss
100
10
0
一般 源
脉冲波 测试
−
80
−
40 0
5
10
15
20
25
30
35
40
40 80 120 160
2.5
4
I
D
=
1.5, 3, 6 一个
V
GS
=
2 v
0
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
200
µ
一个
脉冲波 测试
−
80
−
40 0 40 80 160
1.6
1.8
2.0
1.0
1.2
1.4
0.4
0.6
0.8
0.2
120
1
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
−
1.2
3
10
V
GS
=
−
1 v1 010, 5, 3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0 50 100 200 150
(1)
(4)
(3)
(2)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(1) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2) 单独的-设备 值 在 双 运作 (便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(4) 单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
t
=
10 s
4
一般 源
I
D
=
6 一个
Ta
=
25°c, 脉冲波 测试
0 8 24 3216
0
2
4
6
8
10
V
DD
=
16 v
V
DS
0
4
8
12
16
20
8
V
GS