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资料编号:657215
 
资料名称:TPCS8204
 
文件大小: 304K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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TPCS8204
2002-02-14
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (u-mosiii)
TPCS8204
lithium ion 电池 产品
notebook pc 产品
可携带的 设备 产品
小 footprint 预定的 至 小 和 薄的 包装
低 流-源 在 阻抗: r
ds (在)
= 13 m
(典型值.)
fs
| = 15 s (典型值.)
低 泄漏 电流: i
DSS
= 10 µa (最大值) (v
DS
= 20 v)
增强-模式: v
th
DS
= 10 v, i
D
= 200 µa)
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DSS
20 v
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
) v
DGR
20 v
门-源 电压 V
GSS
±
12 v
直流 (便条 1) i
D
6
流 电流
脉冲波 (便条 1) i
DP
24
一个
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
1.1
流 电源
消耗
(t
=
10 s)
(便条 2a)
单独的-设备 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
0.75
W
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
0.6
流 电源
消耗
(t
=
10 s)
(便条 2b)
单独的-设备 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
0.35
W
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 4)
E
46.8 mj
avalanche 电流 I
AR
6 一个
repetitive avalanche 活力
单独的-设备 值 在 双 运作
(便条 2a, 3b, 5)
E
AR
0.075 mj
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
便条: 为 (便条 1), (便条 2), (note 3), (note 4) 和 (note 5), 请 谈及 至 这 next page.
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 2-3r1e
重量: 0.035 g (典型值.)
电路 配置
8 7 6 5
1 2 3 4
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