6.42
IDT70914S
高-速 36k (4k x 9) 同步的 双-端口 静态的 内存 military, 工业的 和 商业的 温度 范围
9
注释:
1. 为 t
CYC
= 最小值.; 数据 输出 coincident 和 这 rising 边缘 的 这 subsequent 写 时钟 能 出现. 至 确保 writing 至 这 准确无误的 地址 location, 这 写 必须
是 重复的 在 这 第二 写 时钟 rising 边缘. 如果
CE
= v
IL
, invalid 数据 将 是 写 在 排列. 这 an+1 必须 是 rewritten 在 这 下列的 循环.
2.
OE
低 全部地.
3. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 这 输出 测试 加载 (图示 2).
4. 为 t
CYC
> 最小值.;
OE
将 是 使用 至 避免 数据 输出 coincident 和 这 rising 边缘 的 这 subsequent 写 时钟. 使用 的
OE
将 eliminate 这 需要 为 这 写 至
是 重复的.
r/
W
地址
数据
在
CE
CLKEN
CLK
3490 drw 11
一个 一个 + 1
t
CYC
t
CH
t
H
t
CKLZ
t
CL
t
S
Dn + 1
Qn
t
CD
数据
输出
(3)
OE
t
OHZ
(4)
r/
W
地址
数据
在
CE
CLKEN
CLK
3490 drw 10
一个 一个 + 1
一个 + 1
一个 + 2
t
CYC
t
CH
t
CL
t
H
t
CKLZ
t
CYC
t
CH
t
CL
t
S
Dn + 1 Dn + 2
Qn
t
CD
t
CKHZ
数据
输出
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
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