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资料编号:663661
 
资料名称:UPA800T-T1
 
文件大小: 51.21K
   
说明
 
介绍:
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA800T
2
电的 特性 (t
一个
= 25
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 10 v, i
E
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 1 v, i
C
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
= 3 v, i
C
= 5 毫安
便条 1
80 200
增益 带宽 产品 f
T
V
CE
= 3 v, i
C
= 5 毫安 5.5 80 GHz
喂养-后面的 电容 C
re
V
CB
= 3 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
便条 2
0.7 pF
嵌入 电源 增益 (1) |S
21e
|
2
V
CE
= 1 v, i
C
= 3 毫安, f = 2 ghz 4.5 6.5 dB
嵌入 电源 增益 (2) |S
21e
|
2
V
CE
= 3 v, i
C
= 5 毫安, f = 2 ghz 5.5 7.5 dB
噪音 图示 (1) NF V
CE
= 1 v, i
C
= 3 毫安, f = 2 ghz 1.9 3.2 dB
噪音 图示 (2) NF V
CE
= 3 v, i
C
= 5 毫安, f = 2 ghz 1.9 3.2 dB
注释 1.
脉冲波 度量: pw
350
µ
s, 职责 循环
2 %
2.
量过的 和 3-管脚 桥, 发射级 和 情况 应当 是 连接 至 守卫 管脚 的 桥.
h
FE
分类
分级 KB
标记 RL
h
FE
典型 特性 (t
一个
= 25
°
c)
100
0
5
0
10
0.5
50 100 150
200
5 1.0
10
15
20
0 0.5 1.0
10
20
1 5 10 50
20
50
100
200
V
CE
= 3 v
V
CE
= 3 v
120 一个
100 一个
80 一个
I
B
= 20 一个
总的 电源 消耗 p
T
(mw)
包围的 温度 t
一个
(°c) 集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
集电级 电流 i
C
(毫安)
根基 至 发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 增益 h
FE
60 一个
40 一个
25
自由 空气
I
C
- v
特性 h
FE
- i
C
特性
P
T
- t
一个
特性
I
C
- v
CE
特性
2 elements 在 总的
每 元素
160 一个
µ
140 一个
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
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