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资料编号:663661
 
资料名称:UPA800T-T1
 
文件大小: 51.21K
   
说明
 
介绍:
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA800T
3
0
0.5
0
0.5
1 5 10 50
4
8
12
0.1 1.00.5 5.0
0
5
10
15
20
25
1 5 10 50
1
2
3
4
5
V
CE
= 3 v
I
C
= 5 毫安
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
2.0
0.1
1
0
0.5
2 5 10 20 50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1 5 10 50
2
4
6
8
10
f = 1 mhz
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
C
re
- v
CB
特性
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
喂养-后面的 电容 c
re
(pf)
f
T
- i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
增益 带宽 产品 f
T
(ghz)
l s
21e
l
2
- i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益 | s
21e
|
2
(db)
频率 f (ghz)
嵌入 电源 增益 | s
21e
|
2
(db)
| s
21e
|
2
- f 特性
nf - i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
噪音 图示
(db)
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