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资料编号:663661
资料名称:
UPA800T-T1
文件大小: 51.21K
说明
:
介绍
:
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
: 点此下载
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7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA800T
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0
0.5
0
0.5
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5
10
50
4
8
12
0.1
1.00.5
5.0
0
5
10
15
20
25
1
5
10
50
1
2
3
4
5
V
CE
= 3 v
I
C
= 5 毫安
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
2.0
0.1
1
0
0.5
2
5
10
20
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1
5
10
50
2
4
6
8
10
f = 1 mhz
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
C
re
- v
CB
特性
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
喂养-后面的 电容 c
re
(pf)
f
T
- i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
增益 带宽 产品 f
T
(ghz)
l s
21e
l
2
- i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益 | s
21e
|
2
(db)
频率 f (ghz)
嵌入 电源 增益 | s
21e
|
2
(db)
| s
21e
|
2
- f 特性
nf - i
C
特性
集电级 电流 i
C
(毫安)
噪音 图示
(db)
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