sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)
cmos sdram
rev. 1.5 将 2004
sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)
dq 缓存区 输出 驱动 特性
参数 标识 情况 最小值 Typ 最大值 单位 注释
输出 上升 时间 trh
measure 在 直线的
区域 : 1.2v ~ 1.8v
1.37 4.37 伏特/ns 3
输出 下降 时间 tfh
measure 在 直线的
区域 : 1.2v ~ 1.8v
1.30 3.8 伏特/ns 3
输出 上升 时间 trh
measure 在 直线的
区域 : 1.2v ~ 1.8v
2.8 3.9 5.6 伏特/ns 1,2
输出 下降 时间 tfh
measure 在 直线的
区域 : 1.2v ~ 1.8v
2.0 2.9 5.0 伏特/ns 1,2
1. 上升 时间 规格 为基础 在 0pf + 50
Ω
至 v
SS
, 使用 这些 值 至 设计 至.
2. 下降 时间 规格 为基础 在 0pf + 50
Ω
至 v
DD
, 使用 这些 值 至 设计 至.
3. 量过的 在 50pf 仅有的, 使用 these 值 至 characterize 至.
4. 所有 度量 完毕 和 遵守 至 v
SS
.
注释 :
交流 特性
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
参数 标识
60 75
单位 便条
最小值 最大值 最小值 最大值
clk 循环 时间
cas latency=3
t
CC
6
1000
7.5
1000 ns 1
cas latency=2 - 10
clk 至 有效的
输出 延迟
cas latency=3
t
SAC
55.4
ns 1,2
cas latency=2 - 6
输出 数据
支撑 时间
cas latency=3
t
OH
2.5 3
ns 2
cas latency=2 - 3
clk 高 脉冲波 宽度 t
CH
2.5 2.5 ns 3
clk 低 脉冲波 宽度 t
CL
2.5 2.5 ns 3
输入 建制 时间 t
SS
1.5 1.5 ns 3
输入 支撑 时间 t
SH
10.8ns3
clk 至 输出 在 低-z t
SLZ
11ns2
clk 至 输出 在 hi-z
cas latency=3
t
SHZ
55.4
ns
cas latency=2 - 6
1. 参数 取决于 在 编写程序 cas latency.
2. 如果 时钟 rising 时间 是 变长 比 1ns,(tr/2-0.5)ns 应当 是 增加 至 这 参数.
3. assumed 输入 上升 和 下降 时间 (tr &放大; tf) = 1ns.
如果 tr &放大; tf 是 变长 比 1ns, transient 时间 补偿 应当 是 考虑,
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns 应当 是 增加 至 这 参数.
注释 :
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