sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)
cmos sdram
rev. 1.5 将 2004
sdram 256mb e-消逝 (x4, x8, x16)sdram 256mb e-die (x4, x8, x16)sdram 256mb e-die (x4, x8, x16)
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t
一个
= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
版本
单位 便条
60 75
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
I
CC1
burst 长度 = 1
t
RC
≥
t
RC
(最小值)
I
O
= 0 毫安
140 90 毫安 1
precharge 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 10ns
2
毫安
I
CC2
PS
cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
2
precharge 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
20 毫安
I
CC2
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
10
起作用的 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 10ns
6
毫安
I
CC3
PS
cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
6
起作用的 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
25 毫安
I
CC3
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
25 毫安
运行 电流
(burst 模式)
I
CC4
I
O
= 0 毫安
页 burst
4banks 使活动.
t
CCD
= 2clks
170 130 毫安 1
refresh 电流 I
CC5
t
RC
≥
t
RC
(最小值) 200 180 毫安 2
自 refresh 电流 I
CC6
CKE
≤
0.2v
C 3 毫安 3
L 1.5 毫安 4
1. 量过的 和 输出 打开.
2. refresh 时期 是 64ms.
3. k4s561632e-tc
4. k4s561632e-tl
5. 除非 否则 noticed,输入 摆动 水平的 是 cmos(v
IH
/v
IL
=V
DDQ
/v
SSQ
).
注释 :
直流 特性 (x16)
: 点此下载
