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tn12, ts12 和 tynx12 序列
2/11
表格 3: 绝对 比率
(限制的 值)
tables 4: 电的 特性
(t
j
= 25°c, 除非 否则 指定)
■
敏感的
标识 参数
Value
单位
tn12-g
TYN12
tn12-b/h
ts12-b/h
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 (180° 传导 角度)
T
c
= 105°c
12
一个
它
(av)
平均 在-状态 电流 (180° 传导
角度)
T
c
= 105°c
8
一个
I
TSM
非 repetitive surge 顶峰 在-
状态 电流
t
p
= 8.3 ms
T
j
= 25°c
145 115
一个
t
p
= 10 ms
140 110
I
²
德州仪器
²
t 值 为 fusing
t
p
= 10 ms T
j
= 25°c
98 60
一个
2
S
di/dt
核心的 比率 的 上升 的 在-状态
电流 i
G
= 2 x i
GT
, t
r
≤
100 ns
f = 60 hz
T
j
= 125°c
50 一个/µs
I
GM
顶峰 门 电流
t
p
= 20 µs T
j
= 125°c
4A
P
g(av)
平均 门 电源 消耗
T
j
= 125°c
1W
T
stg
T
j
存储 接合面 温度 范围
运行 接合面 温度 范围
- 40 至 + 150
- 40 至 + 125
°C
V
RGM
最大 顶峰 反转 门 电压 (为
TN12
&放大;
TYN12
仅有的) 5 V
标识 测试 情况 TS1220 单位
I
GT
V
D
= 12 v        r
L
= 140
Ω
最大值 200 µA
V
GT
最大值 0.8 V
V
GD
V
D
= v
DRM
R
L
= 3.3 k
Ω
R
GK
= 1 k
Ω
T
j
= 125°c
最小值 0.1 V
V
RG
I
RG
= 10 µa
最小值 8 V
I
H
I
T
= 50 毫安    r
GK
= 1 k
Ω
最大值 5 毫安
I
L
I
G
= 1 毫安     r
GK
= 1 k
Ω
最大值 6 毫安
dv/dt
V
D
=  65 % v
DRM
R
GK
= 220
Ω
T
j
= 125°c
最小值 5 v/µs
V
TM
I
TM
= 24 一个    tp = 380 µs T
j
= 25°c
最大值 1.6 V
V
t0
门槛 电压
T
j
= 125°c
最大值 0.85 V
R
d
动态 阻抗
T
j
= 125°c
最大值 30 m
Ω
I
DRM
I
RRM
V
DRM
= v
RRM
R
GK
= 220
Ω
T
j
= 25°c
最大值
5µA
T
j
= 125°c
2mA

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tn12, ts12 和 tynx12 序列 2/11 表格 3: 绝对比率 (限制的值) tables 4: 电的特性 (t j = 25°c, 除非否则指定) ■ 敏感的标识参数 Value 单位 tn12-g TYN12 tn12-b/h ts12-b/h I t(rms) rms 在-状态电流 (180° 传导角度) T c = 105°c 12 一个它 (av) 平均在-状态电流 (180° 传导角度) T c = 105°c 8 一个 I TSM 非 repetitive surge 顶峰在- 状态电流 t p = 8.3 ms T j = 25°c 145 115 一个 t p = 10 ms 140 110 I ² 德州仪器 ² t 值为 fusing t p = 10 ms T j = 25°c 98 60 一个 2 S di/dt 核心的比率的上升的在-状态电流 i G = 2 x i GT , t r ≤ 100 ns f = 60 hz T j = 125°c 50 一个/µs I GM 顶峰门电流 t p = 20 µs T j = 125°c 4A P g(av) 平均门电源消耗 T j = 125°c 1W T stg T j 存储接合面温度范围运行接合面温度范围 - 40 至 + 150 - 40 至 + 125 °C V RGM 最大顶峰反转门电压 (为 TN12 &放大; TYN12 仅有的) 5 V 标识测试情况 TS1220 单位 I GT V D = 12 v r L = 140 Ω 最大值 200 µA V GT 最大值 0.8 V V GD V D = v DRM R L = 3.3 k Ω R GK = 1 k Ω T j = 125°c 最小值 0.1 V V RG I RG = 10 µa 最小值 8 V I H I T = 50 毫安 r GK = 1 k Ω 最大值 5 毫安 I L I G = 1 毫安 r GK = 1 k Ω 最大值 6 毫安 dv/dt V D = 65 % v DRM R GK = 220 Ω T j = 125°c 最小值 5 v/µs V TM I TM = 24 一个 tp = 380 µs T j = 25°c 最大值 1.6 V V t0 门槛电压 T j = 125°c 最大值 0.85 V R d 动态阻抗 T j = 125°c 最大值 30 m Ω I DRM I RRM V DRM = v RRM R GK = 220 Ω T j = 25°c 最大值 5µA T j = 125°c 2mA

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