tn12, ts12 和 tynx12 序列
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图示 9: 相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 阻抗 (典型
值) 为 ts8 序列
图示 10: 相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 电容 (典型
值) 为 ts8 序列
图示 11: surge 顶峰 在-状态 电流 相比
号码 的 循环
图示 12: 非-repetitive surge 顶峰 在-状态
电流 为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度
tp < 10 ms, 和 相应的 值 的 i²t
图示 13: 在-状态 特性 (最大
值)
图示 14: 热的 阻抗 接合面 至
包围的 相比 铜 表面 下面 tab
(环氧的 打印 电路 板 fr4, 铜
厚度: 35µm) (dpak 和 d
2
pak)
0 200 400 600 800 1000 1200
0.1
1.0
10.0
r(k)
GK
Ω
dv/dt[r ] / dv/dt[ =220 ]
GK
Ω
R
GK
T
j
= 125°c
V = 0.67 x V
D DRM
0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
C (nf)
GK
dv/dt[c ] / dv/dt[ =220 ]
GK
Ω
R
GK
T
V = 0.67 x V
= 125°c
R = 220
D DRM
GK
j
Ω
1 10 100 1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
I (一个)
TSM
号码 的 循环
非 repetitive
T initial=25°C
j
Repetitive
T =105°C
C
TS12
tn12 / TYN12
t =10ms
p
一个 循环
0.01 0.10 1.00 10.00
10
100
1000
2000
I (一个), i t (一个 s)
TSM
22
t (ms)
p
i t
2
I
TSM
T 最初的 = 25°c
j
TS12
TS12
tn12 / TYN12
tn12 / TYN12
di/dt 限制
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
1
10
100
200
I (一个)
TM
V (v)
TM
T
j
=max
T =25°C
j
V =0.85v
R =30m
T 最大值.:
j
t0
d
Ω
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
20
40
60
80
100
s(cm²)
R (°c/w)
th(j-一个)
DPAK
DPAK
2
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