slus486b −8月 2001 − 修订 july 2003
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应用 信息
一个 典型 应用 电路 为 系统 和 8.5-v 至 20-v 输入 是 显示 在 图示 3.
C
在
C2
R1
C1
PWM
输入
D1
地
VIN
VHI
G1
SW
SWS
PVLO
n/c
VDD
VLO
G2S
G2
PGND
AGND
在
n/c
UCC27222
L1
Cout
Q1
Q2
V
输出
地
图示 3. 系统 应用: 8.5-v 至 20-v 输入
选择 的 vhi 序列 电阻 r1 (dv/dt 仔细考虑):
这 序列电阻 r1 将 是 需要 至 slowdown 这 转变-在 的 这 主要的 向前 转变 至 限制 这 dv/dt 这个
能 无意地 转变 在 这 同步的 整流器 转变. 在 名义上的 12-v 输入 设计, 一个 r1 值 的 4-
Ω
至
10-
Ω
能 是 使用 取决于 在 这 类型 的 场效应晶体管 使用 和 这 高-一侧/低-一侧 场效应晶体管 比率. 在 5-v
或者 更小的 输入 产品 不管怎样, r1 是 不 需要.
当 这 流-源 电压 的 一个 场效应晶体管 quickly rises, inadvertent dv/dt induced 转变-在 的 这 设备 是
可能. 这个 能 特别 是 一个 问题 为 输入 电压 的 12 v 或者 更好. 作 q1 迅速 转变 在, 这
流-至-源 电压 的 q2 rises sharply, 结果 在 一个 dv/dt 电压 尖刺 appearing 在 这 门 信号 的
q2. 如果 这 dv/dt induced 电压 尖刺 是 至 超过 这 给 门槛 电压, 这 场效应晶体管 将 briefly
转变 在 当 它 应当 否则 是 commanded 止. obviously 这个 undesired 事件 将 有 一个 负的
impact 在 整体的 效率.
降低 这 dv/dt 效应 在 q2 能 是 accomplished 用 恰当的 场效应晶体管 选择 和 细致的 布局
技巧.这 详细信息 的 如何 至 选择一个 场效应晶体管 至 降低 dv/dt susceptibility 是 概述 在 sem−1400,
topic 2, 附录 一个, 部分 a5. secondly, 这 转变 node 连接 q1, q2 和 l1 应当 是 laid 输出 作
tight 作 可能, 降低 任何 parasitic 电感, 这个 might worsen 这 dv/dt 问题.
如果 这 dv/dt induced 电压 尖刺 是 安静的 呈现 在 这 门 q2, 一个 4w 至 10w 值 的 r1 是 推荐 至
降低这 possibility 的 无意地 turning 在 q2. 这 增加 的 r1 slows 这 转变-在 的 q1, 限制的 这
dv/dt 比率 appearing 在 这 流-至-源 的 q2. slowing向下 这 转变-在 的 q1 将 结果 在 slightly 高等级的
切换 丧失 为 那 设备 仅有的, 但是 这 效率 gained 用 阻止 dv/dt 转变-在 的 q2 将 far outweigh
这 negligible 效应 的 adding r1.
当 q2 是optimally 选择 为 dv/dt robustness 和 细致的 注意 是 paid 至 这 pcb 布局 的 这 转变
node, r1将 不 是 需要 在 所有, 和 能 因此 是 replaced 和 一个 0-
Ω
跳越者 至 维持 高 efficiency.
这 goal 的 这 设计者 应当 不 是 至 完全地 eliminate 这 dv/dt 转变-在 尖刺 但是 至 使确信 那 这
最大 振幅 是 较少 比 这 场效应晶体管 门-至-源 转变-在 门槛 电压 下面 所有 运行
情况.
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