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资料编号:673049
 
资料名称:UN1215
 
文件大小: 179.19K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planer transistor
 
 


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晶体管 和 建造-在 电阻
电的 特性
(ta=25˚c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
E
= 0 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= 50v, i
B
= 0 0.5
µ
一个
UN1211 0.5
un1212/1214/121e/121d 0.2
UN1213 0.1
un1215/1216/1217/1210 I
EBO
V
EB
= 6v, i
C
= 0 0.01 毫安
un121f/121k 1.0
UN1219 1.5
un1218/121l 2.0
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 50 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= 2ma, i
B
= 0 50 V
UN1211 35
un1212/121e 60
un1213/1214
h
FE
V
CE
= 10v, i
C
= 5ma
80
un1215*/1216*/1217*/1210*
160 460
un121f/121d/1219 30
un1218/121k/121l 20
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 10ma, i
B
= 0.3ma 0.25 V
输出 电压 高 水平的 V
OH
V
CC
= 5v, v
B
= 0.5v, r
L
= 1k
4.9 V
输出 电压 低 水平的 V
CC
= 5v, v
B
= 2.5v, r
L
= 1k
0.2
un1213/121k
V
OL
V
CC
= 5v, v
B
= 3.5v, r
L
= 1k
0.2
V
UN121D V
CC
= 5v, v
B
= 10v, r
L
= 1k
0.2
UN121E V
CC
= 5v, v
B
= 6v, r
L
= 1k
0.2
转变 频率 f
T
V
CB
= 10v, i
E
= –2ma, f = 200mhz 80 MHz
un1211/1214/1215/121k 10
un1212/1217 22
un1213/121d/121e/1210
R
1
(–30%)
47
(+30%) k
un1216/121f/121l 4.7
UN1218 0.51
UN1219 1
un1211/1212/1213/121l 0.8 1.0 1.2
UN1214 0.17 0.21 0.25
un1218/1219 0.08 0.1 0.12
UN121D R
1
/r
2
4.7
UN121E 2.14
UN121F 0.47
UN121K 2.13
发射级
截止
电流
向前
电流
转移
比率
输入
resis-
tance
resis-
tance
比率
un1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
1219/1210/121d/121e/121f/121k/121l
* h
FE
分级 分类 (un1215/1216/1217/1210)
分级 Q R S
h
FE
160 至 260 210 至 340 290 至 460
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