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晶体管 和 建造-在 电阻
un1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
1219/1210/121d/121e/121f/121k/121l
C
ob
— v
CB
I
O
— v
在
V
在
— i
O
特性 charts 的 un1214
I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
C
ob
— v
CB
I
O
— v
在
V
在
— i
O
0
0.1 0.3
6
5
4
3
2
1
1 3 10 30 100
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.41.21.00.80.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个
)
输入 电压 v
在
(
V
)
V
O
=5V
Ta=25˚C
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 3 10 30 100
输入 电压 v
在
(
V
)
输出 电流 i
O
(
毫安
)
V
O
=0.2v
Ta=25˚C
0
012210486
40
120
80
160
140
100
60
20
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
Ta=25˚C
I
B
=1.0ma
0.1ma
0.2ma
0.3ma
0.4ma
0.5ma
0.6ma
0.7ma
0.8ma
0.9ma
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 3 10 30 100
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
13
100
200
300
400
350
250
150
50
10 30 100 300 1000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
0.1 0.3
6
5
4
3
2
1
1 3 10 30 100
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.41.21.00.80.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个
)
输入 电压 v
在
(
V
)
V
O
=5V
Ta=25˚C
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 3 10 30 100
输入 电压 v
在
(
V
)
输出 电流 i
O
(
毫安
)
V
O
=0.2v
Ta=25˚C
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