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资料编号:673088
 
资料名称:UN2111
 
文件大小: 235.97K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP epitaxial planer transistor
 
 


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晶体管 和 建造-在 电阻
un2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211d/211e/211f/211h/211l/211m/211n/211t/211v/211z
电的 特性
(ta=25˚c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= –50v, i
E
= 0 – 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= –50v, i
B
= 0 – 0.5
µ
一个
UN2111 – 0.5
un2112/2114/211e/211d/211m/211n/211t
– 0.2
UN2113 – 0.1
un2115/2116/2117/2110 – 0.01
un211f/211h
I
EBO
V
EB
= –6v, i
C
= 0
–1.0
毫安
UN2119 –1.5
un2118/211l/211v –2.0
UN211Z – 0.4
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= –10ma, i
E
= 0 –50 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= –2ma, i
B
= 0 –50 V
UN2111 35
un2112/211e 60
un2113/2114/211m 80
un2115*/2116*/2117*/2110*
160 460
un2119/211f/211d/211h h
FE
V
CE
= –10v, i
C
= –5ma 30
un2118/211l 20
un211n/211t 80 400
UN211V 6 20
UN211Z 60 200
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= –10ma, i
B
= – 0.3ma – 0.25 V
UN211V I
C
= –10ma, i
B
= –1.5ma – 0.07 – 0.25 V
输出 电压 高 水平的 V
OH
V
CC
= –5v, v
B
= – 0.5v, r
L
= 1k
–4.9 V
输出 电压 低 水平的 V
CC
= –5v, v
B
= –2.5v, r
L
= 1k
– 0.2
UN2113
V
OL
V
CC
= –5v, v
B
= –3.5v, r
L
= 1k
– 0.2
V
UN211D V
CC
= –5v, v
B
= –10v, r
L
= 1k
– 0.2
UN211E V
CC
= –5v, v
B
= –6v, r
L
= 1k
– 0.2
转变 频率 f
T
V
CB
= –10v, i
E
= 1ma, f = 200mhz 80 MHz
un2111/2114/2115 10
un2112/2117/211t 22
un2113/2110/211d/211e 47
un2116/211f/211l/211n/211z
R
1
(–30%) 4.7 (+30%) k
UN2118 0.51
UN2119 1
un211h/211m/211v 2.2
发射级
截止
电流
向前
电流
转移
比率
输入
resis-
tance
* h
FE
分级 分类 (un2115/2116/2117/2110)
分级 Q R S
h
FE
160 至 260 210 至 340 290 至 460
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