UTRON
UT621024
rev. 1.5
128k x 8 位 低 电源 cmos sram
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utron 技术 公司 p80036
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
4
定时 波形
读 循环 1 (地址 控制)
(1,2,4)
t
RC
地址
DOUT 数据 有效的
t
AA
t
OH
t
OH
读 循环 2 (
1
CE
, ce2 和
OE
控制)
(1,3,5,6)
注释 :
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择
1
CE
=V
IL
和 ce2=v
ih.
3. 地址 必须 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
1
CE
和 ce2 转变; 否则 t
AA
是 这 限制的 参数.
4.
OE
是 低.
5. t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
, t
CHZ2
和 t
OHZ
是 指定 和 c
L
=5pf. 转变 是 量过的
±
500mv 从 稳步的 状态.
6. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
CHZ1
是 较少 比 t
CLZ1
, t
CHZ2
是 较少 比 t
CLZ2
, t
OHZ
是 较少 比 t
olz.
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OLZ
t
CLZ1
t
CLZ2
高
-z
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
数据 有效的
高-z
一个ddress
1CE
CE2
OE
D
输出
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