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资料编号:678409
 
资料名称:IDT70V05L15PF
 
文件大小: 172.48K
   
说明
 
介绍:
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6.42
idt70v05s/l
高-速 8k x 8 双-端口 静态的 内存 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
8
注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 决定 用 设备 描绘 但是 是 不 生产 测试.
3. 至 进入 sram,
CE
= v
IL
,
SEM
= v
IH
.
4. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).



70V05X15
com'l 仅有的
70V05X20
Com'l
&放大; ind
70V05X25
Com'l
&放大; ind
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
读 cycle时间 15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
15
____
20
____
25 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
(3)
____
10
____
12
____
13 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
输出 低-z 时间
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
输出 high-z 时间
(1,2)
____
10
____
12
____
15 ns
t
PU
碎片 enable 至 power 向上时间
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip disable电源 做wn 时间
(1,2)
____
15
____
20
____
25 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (

或者

)10
____
10
____
10
____
ns
t
SAA
semaphore 地址 进入
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
2941 tbl 11一个
70V05X35
Com'l
&放大; ind
70V05X55
Com'l
&放大; ind
单位标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
t
RC
读 cycle时间 35
____
55
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
35
____
55 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
35
____
55 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
(3)
____
20
____
30 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
ns
t
LZ
输出 低-z 时间
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
输出 high-z 时间
(1,2)
____
15
____
25 ns
t
PU
碎片 enable 至 power 向上时间
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip disable电源 做wn 时间
(1,2)
____
35
____
50 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (

或者

)15
____
15
____
ns
t
SAA
semaphore 地址 进入
(3)
____
35
____
55 ns
2941 tbl 11b
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