初步的
2
256mb: x4, x8, x16 ddr333 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
128mx4x8x16ddr333.p65
–
rev. 一个; pub. 10/01 ©2001, micron 技术, 公司
128mb: x4, x8, x16
ddr333 sdram 补遗
‡
这个 数据 薄板 包含 这 呈现 描述 的 一个 产品 在 定义 和 非 formal 设计 在 progress.
fbga 包装 引脚
V
SS
Q
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
V
REF
DQ15
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
V
SS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK#
CKE
A9
A7
A5
V
SS
V
DD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
DD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
V
DD
Q
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
A13
x16 (顶 视图)
V
SS
Q
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
V
SS
DQ3
NC
DQ2
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
V
SS
V
DD
DQ0
NC
DQ1
NC
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
V
DD
NC
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
DD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
A13
x4 (顶 视图)
V
SS
Q
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ7
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
V
SS
DQ6
DQ5
DQ4
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
V
SS
V
DD
DQ1
DQ2
DQ3
NC
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
DD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
A13
x8 (顶 视图)
12 3456 789
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
12 3456 789
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
12 3456 789
L
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
L
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
fbga 包装 标记
fbga 60-球 包装 维度
预定的 至 这 物理的 大小 的 这 fbga 包装, 这 全部
订货 部分 号码 是 不 打印 在 这 包装.
instead 这 下列的 包装 代号 是 使用.
顶 mark 包含 five 地方 12345
•
地方 1 (产品 家族)
DRAM D
dram - es Z
•
地方 2 (产品 类型)
2.5 volt, ddr sdram, 60-球 L
•
地方 3 (宽度)
x4 设备 B
x8 设备 C
x16 设备 D
•
地方 4 (密度 / 大小)
128Mb F
•
filed 5 (速 等级)
-6 J
-75z P
-75 F
-8 C
例子 顶 mark 为 一个 mt46v32m4fj-6: dlbfj
1.20 最大值
模型 复合: 环氧的 novolac
基质: 塑料 laminate
焊盘 球 材料: eutectic 63% sn, 37% 铅 或者
62% sn, 36% 铅, 2%ag
焊盘 球 垫子:
Ø
.33mm
0.850 ±0.075
16.00 ±0.10
8.00 ±0.05
seating 平面
C
0.10 C
球 a1
球 a9
管脚 a1 id
61X
∅
0.45
焊盘 球 直径
谈及 至 邮递 软熔焊接
情况. 这 前-
软熔焊接 直径 是
Ø
0.40
5.50 ±0.05
11.00
1.00
典型值
0.80 典型值
1.80
CTR
9 .00 ±0.10
3.20 ±0.05
4.50 ±0.05
6.40
C
L
C
L
bottom 视图
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