IGW75N60T
trenchstop 序列
q
电源 半导体
2 rev. 2.1 dec-04
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值
单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
至-247
0.35
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
至-247 交流
40
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=0.2ma 600 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=75A
T
j
=25
°
C
T
j
=175
°
C
-
-
1.5
1.9
2.0
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=1.2ma,
V
CE
=
V
GE
4.1 4.9 5.7
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=600V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=175
°
C
-
-
-
-
40
1000
µA
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 na
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=75A
- 41 - s
整体的 门 电阻
R
Gint
-
Ω
动态 典型的
输入 电容
C
iss
-
4620
-
输出 电容
C
oss
-
288
-
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
-
137
-
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=480v,
I
C
=75A
V
GE
=15V
- 470 - nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
TO-247-3-1 - 7 - nh
短的 电路 集电级 电流
1)
I
c(sc)
V
GE
=15v,
t
SC
≤
5
µ
s
V
CC
= 400v,
T
j
≤
150
°
C
- 687.5 - 一个
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
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