M28C64
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表格 3. 运行 模式
1
便条: 1. 0=
V
IL
;1=
V
IH
;x=
V
IH
或者 V
IL
; V=12V
±
5%.
模式 E G W dq0-dq7
保卫-用 1 X X hi-z
Output 使不能运转 X 1 X hi-z
Write 使不能运转 X X 1 hi-z
读 0 0 1 数据 Out
Write 0 1 0 数据 在
碎片 擦掉 0 V 0 hi-z
信号 描述
这 外部 连接 至 这 设备 是
summarized 在 表格 1, 和 their 使用 在 表格 3.
地址 (a0-a12).
这 地址 输入 是
使用 至 选择 一个 字节 从 这 记忆 排列
在 一个 读 或者 写 运作.
数据 在/输出 (dq0-dq7).
这 内容 的 这 数据
字节 是 写 至, 或者 读 从, 这 记忆 排列
通过 这 数据 i/o 管脚.
碎片 使能 (e).
这 碎片 使能 输入 必须 是
使保持 低 至 使能 读 和 写 行动.
当 碎片 使能 是 高, 电源 消耗量 是
减少.
输出 使能 (g).
这 输出 使能 输入
控制 这 数据 输出 缓存区, 和 是 使用 至
initiate 读 行动.
写 使能 (w).
这 写 使能 输入 控制
whether 这 addressed location 是 至 是 读, 从
或者 写 至.
准备好/busy (rb).
准备好/busy 是 一个 打开 流
输出 那 能 是 使用 至 发现 这 终止 的 这
内部的 写 循环.
设备 运作
在 顺序 至 阻止 数据 corruption 和 inadvertent
写 行动, 一个 内部的 V
CC
比较器
inhibits 这 写 行动 如果 这 V
CC
电压 是
更小的 比 V
WI
(看 表格 4A 和 表格 4b). Once
这 电压 应用 在 这 V
CC
管脚 变得 在 这
V
WI
门槛 (v
CC
>v
WI
), 写 进入 至 这
记忆 是 允许 之后 一个 时间-输出 t
PUW
,作
指定 在 表格 4A 和 表格 4b.
更远 保护 相反 数据 corruption 是
offered 用 这 E 和 W 低 通过 过滤: 任何 glitch,
在 这 E 和 W 输入, 和 一个 脉冲波 宽度 较少 比
10 ns (典型) 是 内部 filtered 输出 至 阻止
inadvertent 写 行动 至 这 记忆.
表格 4a. 电源-向上 定时
1
为 M28C64 (5v 范围)
(t
一个
= 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
= 4.5 至 5.5 v)
便条: 1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
表格 4b. 电源-向上 定时
1
为 m28c64-xxw (3v 范围)
(t
一个
= 0 至 70
°
C 或者 –40 至 85
°
c; V
CC
= 2.7 至 3.6 v)
便条: 1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
标识 参数 Min. 最大值 单位
t
PUR
时间 延迟 至 读 Operation 1
µ
s
t
PUW
时间 延迟 至 Write 运作 (once V
CC
≥
V
WI
)10ms
V
WI
写 Inhibit Threshold 3.0 4.2 V
标识 参数 Min. 最大值 单位
t
PUR
时间 延迟 至 读 Operation 1
µ
s
t
PUW
时间 延迟 至 Write 运作 (once V
CC
≥
V
WI
)15ms
V
WI
写 Inhibit Threshold 1.5 2.5 V
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