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白 电子的 设计 公司 • phoenix, az • (602) 437-1520
参数 标识 情况 最小值 最大值 单位
输入 泄漏 电流 I
LI
V
CC
= 5.5, v
在
= 地 或者 v
CC
10
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
LOx32
V
CC
= 5.5, v
在
= 地 或者 v
CC
10
µ
一个
V
CC
起作用的 电流 为 读 (1) I
CC1
cs = v
IL
, oe = v
IH
, f = 5mhz 190 毫安
V
CC
起作用的 电流 为 程序 或者 擦掉 (2) I
CC2
cs = v
IL
, oe = v
IH
240 毫安
V
CC
备用物品 电流 I
CC4
V
CC
= 5.5, cs = v
IH
, f = 5mhz 6.5 毫安
V
CC
静态的 电流 I
CC3
V
CC
= 5.5, cs = v
IH
0.6 毫安
输出 低 电压 V
O
L
I
OL
= 8.0 毫安, v
CC
= 4.5 0.45 V
输出 高 电压 V
OH1
I
OH
= 2.5 毫安, v
CC
= 4.5 0.85
X
V
CC
V
低 v
CC
锁-输出 电压 V
LKO
3.2 4.2 V
wf512k32-xxx5
绝对 最大 比率 (1)
注释:
1. 压力 在之上 这 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏
至 这 设备. 扩展 运作 在 这 最大 水平 将 降级
效能 和 影响 可靠性.
2. 最小 直流 电压 在 输入 或者 i/o 管脚 是 -0.5v. 在 电压 transitions,
输入 将 越过 v
SS
至 -2.0 v 为 时期 的 向上 至 20ns. 最大 直流
电压 在 输出 和 i/o 管脚 是 v
CC
+ 0.5v. 在 电压 transitions,
输出 将 越过 至 vcc + 2.0 v 为 时期 的 向上 至 20ns.
3. 最小 直流 输入 电压 在 一个
9
管脚 是 -0.5v. 在 电压 transitions, 一个
9
将 越过 vss 至 -2v 为 时期 的 向上 至 20ns. 最大 直流 输入
电压 在 一个
9
是 +13.5v 这个 将 越过 至 14.0 v 为 时期
向上 至 20ns.
直流 特性 - cmos 兼容
(v
CC
= 5.0v, v
SS
= 0v, t
一个
= -55
°
c 至 +125
°
c)
参数 单位
运行 温度 -55 至 +125
°
C
供应 电压 范围 (v
CC
) -2.0 至 +7.0 V
信号 电压 范围 (任何 管脚 除了 一个
9
) (2) -2.0 至 +7.0 V
存储 温度 范围 -65 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) +300
°
C
数据 保持 (mil 温度) 20 年
忍耐力 - 写/擦掉 循环 (mil 温度) 100,000 循环 最小值
一个
9
电压 为 sector 保护 (v
ID
) (3) -2.0 至 +14.0 V
直流 测试 情况: v
IL
= 0.3v, v
IH
= v
CC
- 0.3v
注释:
1. 这 i
CC
电流 列表 包含 两个都 这 直流 运行 电流 和 这 频率 依赖 组件 (在 5 mhz). 这 频率 组件 典型地
是 较少 比 2 毫安/mhz, 和 oe 在 v
IH
.
2. I
CC
起作用的 当 embedded algorithm (程序 或者 擦掉) 是 在 progress.
推荐 运行 情况
参数 标识 最小值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
4.5 5.5 V
输入 高 电压 V
IH
2.0 V
CC
+ 0.5 V
输入 低 电压 V
IL
-0.5 +0.8 V
运行 温度 (mil.) T
一个
-55 +125
°
C
运行 温度 (ind.) T
一个
-40 +85
°
C
一个
9
电压 为 sector 保护 V
ID
11.5 12.5 V
低 电容 cqfp
(t
一个
= +25
°
c)
参数
标识
情况 最大值 单位
oe 电容 C
OE
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz 32 pF
cqfp g4 电容 C
我们
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz 32 pF
CS
1-4
电容 C
CS
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz 15 pF
数据 i/o 电容 C
i/o
V
i/o
= 0 v, f = 1.0 mhz 15 pF
地址 输入
电容 C
AD
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz 32 pF
这个 参数 是 有保证的 用 设计 但是 不 测试.
电容
(t
一个
= +25
°
c)
参数
标识
情况 最大值 单位
oe 电容 C
OE
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
50 pF
我们
1-4
电容 C
我们
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
pF
hip (pga) 20
cqfp g4t 50
cqfp g2u/g1u 15
CS
1-4
电容 C
CS
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
20 pF
数据 i/o 电容 C
i/o
V
i/o
= 0 v, f = 1.0 mhz
20 pF
地址 输入 电容 C
AD
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
50 pF
这个 参数 是 有保证的 用 设计 但是 不 测试.
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