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资料编号:709124
 
资料名称:WF512K32
 
文件大小: 159.55K
   
说明
 
介绍:
512Kx32 5V FLASH MODULE, SMD 5962-94612
 
 


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5
白 电子的 设计 公司 • phoenix, az • (602) 437-1520
交流 特性 – 写/擦掉/程序 行动, 我们 控制
(v
CC
= 5.0v, t
一个
= -55
°
c 至 +125
°
c)
wf512k32-xxx5
wf512k32-xxx5
wf512k32-xxx5
交流 特性 – 读 仅有的 行动
(v
CC
= 5.0v, t
一个
= -55
°
c 至 +125
°
c)
参数 标识 -60 -70 -90 -120 -150 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环 时间 t
AVAV
t
RC
60 70 90 120 150 ns
地址 进入 时间 t
AVQV
t
ACC
60 70 90 120 150 ns
碎片 选择 进入 时间 t
ELQV
t
CE
60 70 90 120 150 ns
输出 使能 至 输出 有效的 t
GLQV
t
OE
30 35 35 50 55 ns
碎片 选择 至 输出 高 z (1) t
EHQZ
t
DF
20 20 20 30 35 ns
输出 使能 高 至 输出 高 z (1) t
GHQZ
t
DF
20 20 20 30 35 ns
输出 支撑 从 地址, cs 或者 oe 改变, t
AXQX
t
OH
000 00ns
whichever 是 第一
1. 有保证的 用 设计, 但是 不 测试
参数 标识 -60 -70 -90 -120 -150 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
写 循环 时间 t
AVAV
t
WC
60 70 90 120 150 ns
碎片 选择 建制 时间 t
ELWL
t
CS
00000ns
写 使能 脉冲波 宽度 t
WLWH
t
WP
40 45 45 50 50 ns
地址 建制 时间 t
AVWH
t
00000ns
数据 建制 时间 t
DVWH
t
DS
40 45 45 50 50 ns
数据 支撑 时间 t
WHDX
t
DH
00000ns
地址 支撑 时间 t
WHAX
t
AH
40 45 45 50 50 ns
写 使能 脉冲波 宽度 高 t
WHWL
t
WPH
20 20 20 20 20 ns
持续时间 的 字节 程序编制 运作 (1) t
WHWH1
300 300 300 300 300
µ
s
sector 擦掉 时间 (2) t
WHWH2
15 15 15 15 15
读 恢复 时间 在之前 写 t
GHWL
00000ns
V
CC
设置-向上 时间 t
VCS
50 50 50 50 50
µ
s
碎片 程序编制 时间 11 11 11 11 11
输出 使能 建制 时间 t
OES
00000ns
输出 使能 支撑 时间 (4) t
OEH
10 10 10 10 10 ns
碎片 擦掉 时间 (3) 64 64 64 64 64
注释:
1. 典型 值 为 t
WHWH1
是 7
µ
s.
2. 典型 值 为 t
WHWH2
是 1sec.
3. 典型 值 为 碎片 擦掉 时间 是 8sec.
4. 为 toggle 和 数据 polling.
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