CS5301
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2
R12
20 k
竞赛
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
PWRGDS
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
门(l)1
GND1
门(h)1
V
CCH12
门(h)2
GND2
门(l)2
V
CCL23
门(l)3
GND3
门(h)3
CS5301
I
LIM
REF
V
CCH3
LGND
R1
3.09 k
R2
1.40 k
C5
0.1
µ
F
R7
30 k
CS2
C8
.01
µ
F
C7
.01
µ
F
CS3
R6
30 k
CS1
C6
.01
µ
F
R5
30 k
C9
.01
µ
F
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
PWRGD
10 k
R9
19.1 k
R8
80.6 k
Q3
Q4
CS2
L2
1.0
µ
F
Q5
Q6
CS3
L3
1.0
µ
F
Q1
Q2
CS1
L1
1.0
µ
F
C25–32
8
×
10
µ
F
C17–24
8
×
4SP560M
V
核心
C14
1.0
µ
F
+5.0 v
2
×
16SP180M
c15,16
300 nh
L4
+12 v
+
C2
1.0
µ
F
C3
1.0
µ
F
C1
1.0
µ
F
+5.0 v
BAT54S
D1
U1
R3
56.2 k
0.1
µ
F
C4
R10
10 k
C12
1.0 nf
C11
1.0 nf
+12 v
D2
BAS16LT1
图示 1. 应用 图解 为 intel pentium
4 处理器
12 v 至 1.7 v, 42 一个
C10
470 pf
+5.0 v
R11
1.0
Ω
R4
BAT54S
D3
q1–q6, ntb85n03 或者 ntb85n03t4 用 在 semiconducto
最大 ratings*
比率 值 单位
运行 接合面 温度 150
°
C
存储 温度 范围 –65 至 +150
°
C
静电释放 susceptibility (人 身体 模型) 2.0 kV
热的 阻抗, junction–to–case, r
Θ
JC
14
°
c/w
热的 阻抗, junction–to–ambient, r
Θ
JA
70
°
c/w
含铅的 温度 焊接: 软熔焊接: (smd 样式 仅有的) (便条 1) 230 顶峰
°
C
1. 60 第二 最大 在之上 183
°
c.
*the 最大 包装 电源 消耗 必须 是 observed.
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