max1740/max1741
所有 水平的 转变 是 有效的 为 dv
CC
≥
V
CC
或者 dv
CC
≤
V
CC
. 这 max1740/max1741 包含 内部的 拉-向上
电阻器 从 数据 至 这 控制-一侧 供应
(dv
CC
) 和 从 io 至 这 card-一侧 供应 (v
CC
). 为
推-拉 控制 输出, 看 这
数据 驱动器
部分
为 双向的 数据 转变.
数据 驱动器 (max1741 仅有的)
当 使用 一个 微控制器 (µc) 没有 一个 打开-流
输出, 使用 这 数据 驱动器 (ddrv) 输入 至 send 数据 至
这 sim/smart card, 当 数据 提供 这 控制-
一侧 输出 为 双向的 数据 转移. 当 不
使用, 连接 ddrv 至 dv
CC
至 减少 总的 供应 cur-
rent.
关闭 模式
为 这 max1740, 驱动
SHDN
低 至 活动 shut-
向下. 连接
SHDN
至 dv
CC
或者 驱动 高 为 正常的
运作. 至 准许 为 card 嵌入 和 除去, shut-
向下 模式 actively pulls clk, rst, 和 io 低; 它 也
disconnects 这 内部的 10k
Ω
拉-向上 电阻 从 v
CC
至 阻止 过度的 电流 绘制. 关闭 模式
减少 这 总的 供应 电流 (i
DVCC
+ i
VCC
) 至
0.01µa.
sim/smart card 嵌入/除去
这 sim/smart card 规格 需要 那 这
card-一侧 管脚 (v
CC
, clk, rst, io) 是 在 地面
潜在的 较早的 至 inserting 这 sim/smart card. 为
产品 使用 这 max1686h (图示 4), 这 easi-
est 方法 至 达到 这个 是 用 关闭 向下 这
max1686h 或者 用 驱动
SHDN
(max1740 仅有的) 低. 如果
明确的 sequencing 是 desired, 拉 io 低 用 驱动
也 数据 或者 ddrv (max1741 仅有的) 低, 和 拉
clk 和 rst 低 用 驱动 cin 和 rin 低, respec-
tively.
静电释放 保护
作 和 所有 maxim 设备, 静电释放-保护 结构
在 所有 管脚 保护 相反 静电的 discharges
(esds) encountered 在 处理 和 组装.
为 更远 保护 在 card 嵌入 和
除去, 这 管脚 那 连接 至 这 card 插座 (clk,
rst, io, v
CC
, 和 地) 提供 保护 相反
±10kv 的 静电释放, 符合 至 这 人 身体 模型.
这 静电释放 结构 承受 高 静电释放 在 所有 states:
正常的 运作, 关闭, 和 电源-向下. 之后 一个
静电释放 事件, 这 max1740/max1741 continue working
没有 latchup.
静电释放 测试 情况
静电释放 效能 取决于 在 一个 多样性 的 情况.
联系 maxim 为 一个 可靠性 report documenting 测试
建制, 测试 methodology, 和 测试 结果.
人 身体 模型
图示 3a 显示 这 人 身体 模型, 和 图示
3b 显示 这 电流 波形 它 发生 当 dis-
charged 在 一个 低 阻抗. 这个 模型 组成 的
一个 100pf 电容 charged 至 这 静电释放 电压 的 inter-
sim/smart card 水平的 翻译
在 µmax
8 _______________________________________________________________________________________
图示 2. 典型 应用 电路 和 函数的 图解
V
CC
sim 或者
smart card
系统
控制
CLK
RST
1
µ
F
地
地
CLK
RST
地
V
CC
DV
CC
DV
CC
MAX1740
MAX1741
SHDN*
OPTIONAL
RIN
CIN
20k 10k
OPTIONAL
数据
DDRV*
shdn 为 max1740 仅有的
ddrv 为 max1741 仅有的
*
关闭
控制
IO
IO
1
µ
F
DV
CC
V
CC
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