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fn7523.2
九月 21, 2005
I
低
逻辑 低 偏差 电流 0.2 1 µA
I
高
逻辑 高 偏差 电流 在 v
EN
= 5v 12 18 24 µA
电的 规格
V
DD
= 5v, v
BOOST
= 11v, i
加载
= 200ma, v
在
= 15v, v
止
= -5v, v
逻辑
= 2.5v, 在 温度 从
-40°c 至 85°c, 除非 否则 指定.
(持续)
参数 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
管脚 描述
管脚 名字 管脚 号码 描述
1 CDLY 一个 电容 连接 从 这个 管脚 至 地 sets这 延迟 时间 为 开始-向上 sequence 和 sets 这 故障
timeout 时间
2 DELB 门 驱动 的 optional v
BOOST
延迟 场效应晶体管
3, 4 lx1, lx2 流 的 这 内部的 n 频道boost 场效应晶体管; 为 el7586, 管脚 4 是 不 连接
5 DRVP 积极的 ldo 根基 驱动; 打开 drain 的 一个 内部的 n 频道 场效应晶体管
6 FBP 积极的 ldo 电压 反馈 输入 管脚; regulates 至 1.2v 名义上的
7 DRVL 逻辑 ldo 根基 驱动; 打开 流 的 一个 内部的 n 频道 场效应晶体管
8 FBL 逻辑 ldo 电压 反馈 输入 管脚; regulates 至 1.2v 名义上的
9, 17 SGND 低 噪音 信号 地面
10 DRVN 负的 ldo 根基 驱动; 打开 流 的 一个 内部的 p 频道 场效应晶体管
11 FBN 负的 ldo 电压 反馈 输入 管脚; regulates 至 0.2v 名义上的
12, 13 PGND 电源 地面, 连接 至 源 的 内部的 n 频道 boost 场效应晶体管
14 VREF bandgap 电压 绕过, 连接 一个 0.1µf 至 sgnd
15 CINT V
BOOST
积分器 输出, 连接 电容 至 sgnd 为 pi 模式 或者 连接 至 v
DD
为 p 模式
运作
16 FBB boost 调整器 电压 反馈 input 管脚; regulates 至 1.2v 名义上的
18 EN 使能 管脚, 高=使能;低 或者 floating=使不能运转
19 VDD 积极的 供应
20 PG 门 驱动 的 optional 故障 保护 场效应晶体管, 当碎片 是 无能 或者 当 一个 故障 有 被 发现, 这个
是 高
典型 效能 曲线
图示 1. V
BOOST
效率 在 v
在
=3v (pi 模式) 图示 2. V
BOOST
效率 在 v
在
=5v (pi 模式)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
I
输出
(一个)
效率 (%)
V
O
=9V
V
O
=12V
V
O
=15V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
00.511.5
I
输出
(一个)
效率 (%)
V
O
=9V
V
O
=12V
V
O
=15V
EL7585A
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