EL7585AILZ_集成电路资料查询网

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fn7523.2
九月 21, 2005
图示 15. 开始-向上 sequence 图示 16. lx 波形 - discontinuous 模式
图示 17. lx 波形 - 持续的 模式
图示 18. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 19. 包装 电源 消耗 vs 包围的 温度
典型 效能 曲线
(持续)
时间 (10ms/div)
AVDD
V
逻辑
V
止
V
在
C
DLY
=220nF
V
在
=5V
V
输出
=13V
I
输出
=30mA
时间 (400ns/div)
V
在
=5V
V
输出
=13V
I
输出
=200mA
时间 (400ns/div)
电子元件工业联合会 jesd51-3 和 semi g42-88
(单独的 layer) 测试 板
0.8
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
0 25 50 75 100 150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
12585
0.6
0.4
θ
JA
=140°c/w
QFN24
θ
JA
=150°c/w
QFN16
667mW
714mW
电子元件工业联合会 jesd51-7 高 有效的 热的
conductivity 测试 板 - qfn exposed
diepad 焊接 至 pcb 每 jesd51-5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
电源 消耗 (w)
2.703w
2.500w
θ
JA
=40°c/w
QFN16
θ
JA
=37°c/w
QFN24
0 255075100 150
包围的 温度 (°c)
12585
EL7585A

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7 fn7523.2 九月 21, 2005 图示 15. 开始-向上 sequence 图示 16. lx 波形 - discontinuous 模式图示 17. lx 波形 - 持续的模式图示 18. 包装电源消耗 vs 包围的温度图示 19. 包装电源消耗 vs 包围的温度典型效能曲线 (持续) 时间 (10ms/div) AVDD V 逻辑 V 止 V 在 C DLY =220nF V 在 =5V V 输出 =13V I 输出 =30mA 时间 (400ns/div) V 在 =5V V 输出 =13V I 输出 =200mA 时间 (400ns/div) 电子元件工业联合会 jesd51-3 和 semi g42-88 (单独的 layer) 测试板 0.8 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0 0 25 50 75 100 150 包围的温度 (°c) 电源消耗 (w) 12585 0.6 0.4 θ JA =140°c/w QFN24 θ JA =150°c/w QFN16 667mW 714mW 电子元件工业联合会 jesd51-7 高有效的热的 conductivity 测试板 - qfn exposed diepad 焊接至 pcb 每 jesd51-5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 电源消耗 (w) 2.703w 2.500w θ JA =40°c/w QFN16 θ JA =37°c/w QFN24 0 255075100 150 包围的温度 (°c) 12585 EL7585A

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