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资料编号:728434
 
资料名称:XN4601
 
文件大小: 60.74K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
 
 


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composite 晶体管
电的 特性
(ta=25˚c)
Tr1
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= 10
µ
E
= 0 60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= 2ma, i
B
= 0 50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 7 V
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= 20v, i
E
= 0 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= 10v, i
B
= 0 100
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= 10v, i
C
= 2ma 160 460
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 100ma, i
B
= 10ma 0.1 0.3 V
转变 频率 f
T
V
CB
E
= –2ma, f = 200mhz 150 MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz 3.5 pF
Tr2
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= –10
µ
E
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= –2ma, i
B
= 0 –50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
E
= –10
µ
C
= 0 –7 V
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= –20v, i
E
= 0 – 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= –10v, i
B
= 0 –100
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= –10v, i
C
= –2ma 160 460
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= –100ma, i
B
= –10ma –0.3 –0.5 V
转变 频率 f
T
V
CB
E
= 1ma, f = 200mhz 80 MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
E
= 0, f = 1mhz 2.7 pF
XN4601
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