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composite 晶体管
XN4601
0
0 1000800600400200
240
200
160
120
80
40
集电级 电流   i
C
(
毫安
)
根基 电流   i
B
(
µ
一个
)
V
CE
=10V
Ta=25˚C
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 3 10 30 100
集电级 电流   i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压   v
ce(sat)
(
V
)
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
0.1 0.3
600
500
400
300
200
100
1 3 10 30 100
向前 电流 转移 比率   h
FE
集电级 电流   i
C
(
毫安
)
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
–0.1 –0.3
300
240
180
120
60
–1 –3 –10 –30 –100
转变 频率   f
T
(
MHz
)
发射级 电流   i
E
(
毫安
)
V
CB
=10V
Ta=25˚C
0
10
240
200
160
120
80
40
30 100 300 100050 50020 200
噪音 电压   nv
(
mV
)
集电级 电流   i
C
(
µ
一个
)
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
Ta=25˚C
4.7k
Ω
R
g
=100k
Ω
22k
Ω
I
C
— i
B
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
nv — i
C

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5 composite 晶体管 XN4601 0 0 1000800600400200 240 200 160 120 80 40 集电级电流 i C ( 毫安 ) 根基电流 i B ( µ 一个 ) V CE =10V Ta=25˚C 0.01 0.03 0.1 0.3 0.1 0.3 1 3 10 30 100 1 3 10 30 100 集电级电流 i C ( 毫安 ) 集电级至发射级饱和电压 v ce(sat) ( V ) I C /i B =10 Ta=75˚C 25˚C –25˚C 0 0.1 0.3 600 500 400 300 200 100 1 3 10 30 100 向前电流转移比率 h FE 集电级电流 i C ( 毫安 ) V CE =10V Ta=75˚C 25˚C –25˚C 0 –0.1 –0.3 300 240 180 120 60 –1 –3 –10 –30 –100 转变频率 f T ( MHz ) 发射级电流 i E ( 毫安 ) V CB =10V Ta=25˚C 0 10 240 200 160 120 80 40 30 100 300 100050 50020 200 噪音电压 nv ( mV ) 集电级电流 i C ( µ 一个 ) V CE =10V G V =80dB Function=FLAT Ta=25˚C 4.7k Ω R g =100k Ω 22k Ω I C — i B V ce(sat) — i C h FE — i C f T — i E nv — i C

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