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composite 晶体管
P
T
— ta I
C
— v
CE
I
C
— i
B
I
B
— v
是
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
XP2401
0
50
100
150
200
250
02040 8060 140120100 160
包围的 温度 ta
(
˚C
)
总的 电源 消耗 p
T
(
mW
)
0
0 –18–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16
–60
–50
–40
–30
–20
–10
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
Ta=25˚C
I
B
=–300
µ
一个
–250
µ
一个
–200
µ
一个
–150
µ
一个
–100
µ
一个
–50
µ
一个
0
0 –100 –200 –300 –400
–60
–50
–40
–30
–20
–10
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=–5V
Ta=25˚C
0
0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6
–400
–350
–300
–250
–200
–150
–100
–50
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
V
CE
=–5V
Ta=25˚C
0
0 –2.0–1.6–1.2–0.8–0.4
–240
–200
–160
–120
–80
–40
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=–5V
Ta=75˚C –25˚C
25˚C
–0.001
–0.003
–1 –3
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–10 –30 –100 –300 –1000
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
–1 –3
600
500
400
300
200
100
–10 –30 –100 – 300 –1000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
0.1 0.3
40
80
120
160
140
100
60
20
1 3 10 30 100
转变 频率 f
T
(
MHz
)
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
0
–1 –5
–20
–2
8
7
6
5
4
3
2
1
–3
–50
–10
–30
–100
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
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